X波段单片集成电路低噪声放大器的应用研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haozhizhegogo

【摘要】

：

<正>据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器

【作者】

：

戴永盛

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1990年4期

【关键词】

：

Ф波段单片集成电路低噪声放大器

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<正>据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比,性

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