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提出了一种精确、高效的FET／pHEMT器件模型参数提取的改进方法。首先利用FET器件漏端零偏置的简化模型，测出寄生元件值，再利用正常配置时FET／pHEMT器件网络S参数，使用“剥离”技术将寄生部分全部剔除。最后利用网络导纳参数的表达式，确定了本征电路元件参数。采用了该方法的提取过程物理意义清晰，优化处理容易。对NEC器件的测试结果显示，该改进方法效率高，测试精度小于3％。