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一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hongwei3330857
【摘 要】
:
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在
【作 者】
:
瞿小峰
陆科杰
栗成智
隋文泉
【机 构】
:
浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2010年1期
【关键词】
:
砷化镓异质结双极晶体管
静态预分频器
D触发器
GaAs HBT
static prescaler
D flip-flop
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介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
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