压阻系数相关论文
为了解决分立式器件传感器传感部位距离工件的实际工作部位较远,无法及时、精准测量工件和机械零部件（如刀具、模具和轴承等）工作时......
本文报道了一种推导在任意坐标中硅压阻系数矩阵(四级张量)的新方法,即利用矩阵代数运算的方法批量的得到硅压阻系数矩阵的所有矩......
航空航天领域中对于压力的测量是比较广泛的,例如,用于测量航天器升空过程中整流罩所受压力,发动机叶栅的脉动压力,直升飞机机翼的......
学位
我校重点实验室与中电十三所合作，成功制备了GaN基HEFT微加速度计结构，并通过实验总结出一种测试GaN基HEFT器件压阻系数的方法，为......
该文通过对硅材料压阻系数的计算及程序的设计，给出了扩散硅力敏器件常用几个晶面上压阻系数分布曲线。讨论了硅材料的各向异性、Ｐ型......
该文通过对硅材料压阻系数的计算及程序的设计，给出了扩散硅力敏器件常用几个晶面上压阻系数分布曲线以及压阻系数与表面杂质浓度和......
该文简述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器......
压阻效应是指当材料受到应力时，其载流子的平均有效质量增加或减小（取决于应力方向、晶体取向和电流方向），从而电阻率发生改变的现象。......
本课题来源于中央高校基本科研业务费专项资金项目“具有动态传感功能的碳纤维智能层的界面与本构理论研究”,对树脂基连续碳纤维......
学位
纳米尺寸的硅锗材料结构，其力学性质、电学性质和力电耦合性质均受到应变效应、界面效应、组分效应、量子限制效应等微观效应的影响......
纳米线（管）因受表面效应、量子尺寸效应等微观效应的影响而具有奇特的力学、电学以及力电耦合性质，并成为未来最有潜力的纳米电子器件......
本文以康铜材料为例,将具有孔洞的不均匀复合材料的平均应力和平均电阻率之间的关系由均质材料的应力和电阻率关系代替,运用有限元......
提出了基于Matlab软件得到压力值解析表达式中各多项式的系数,十分简便,可用于压力传感器的智能化.利用热零点漂移的非抛物线实验......
详细讨论了压阻型压力传感器设计中若刊重要问题，这些问题是合理利用压阻系数和膜上的应用，电阻条的布置和设计以及可靠性。......
用磁控阴极等离子体溅射技术在云母基底上制做镀膜锰铜压阻计。5—56GPa冲击应力的标定实验表明,该计的压阻性能稳定。压阻系数的......
用磁控溅射低温沉积镀膜技术制做锰铜薄膜,能够保持薄膜中锰、铜、镍成份的相对稳定和锰铜合金正六面三元固溶体金相结构的特性.但......
GaAs HEMT（高电子迁移率晶体管）位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs ......
介绍了半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷在不同的应力、温度和掺杂条件下所呈现的压阻效应，以及制约其压阻效应的因素，提出了该半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷是应力传感器领域......
用微机械加工技术开发出一种微型主杯压阻式压力传感器，文中介绍了微型压力传感器的设计思想和研制工艺中的关键技术，并给出了该传感......
为了实现恶劣环境下的精密仪器和精确测量,适应于恶劣环境下的压力传感器的需求大大增加。首次报道单根氮化硅纳米线的横向压电效......
为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形......
采用磁控溅射法制备锰铜薄膜，溅射和真空蒸发法制备镱薄膜。对热处理前后薄膜的电学性能、微观形貌和结构进行了表征，并采用轻气炮和......
采用薄膜工艺制备适合高压力测量的阵列式传感器,文中介绍了该传感器的制造工艺、工作原理。动态加载实验表明,传感器阵列的压阻一......
采用真空蒸发技术在聚酰亚胺、云母、陶瓷及基板上制作了镱薄膜传感器，研究了该传感器在７０ＭＰａ～２ＧＰａ范围内准静态单轴压缩载荷下电阻－压力的变化......
以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同。由于高灵敏度是依......
海洋环境的开发,环境污染的治理,宇宙的探测,医药工程的研究等工业生产、日常生活对压力传感器有非常大的市场需求,压阻式压力传感......
设计了低压锰铜压阻传感器 ,并通过平板撞击实验标定了该传感器在 0 .3～ 9.4GPa范围内的压阻关系。标定曲线在 0 .3～ 1.5GPa范围内是......
硅基压阻式压力传感器应用广泛,在传感器中具有十分重要的地位。该传感器的发展方向是小型化、高灵敏度、良好温度特性和集成化,为......
本文从理论和实践两个方面探讨医用压力传感器芯片制作工艺,旨在研究微机械加工工艺在医用压力传感器上的应用。......
应用经典层合板理论和静电学理论，研究了正交异性介质的电导率，压导系数和压阻系数的特性，导出了Ｃａｕｃｈｙ应变空间中压阻系数与压导系之间的关......
一、概述在生物医学工程研究以及病理诊断和病床监护中,生物体各部位压力测量是病理分析和研究的重要手段。但由于在生物体上测压......
本文分析了压阻式扩散硅压力传感器的设计原理:对微压传感器的关键问题提出了各向异性腐蚀,掺高浓度硼停止腐蚀;用E型杯代替C型杯......
扩散硅压力传感器是利用力敏器件制成的一种新型的压力传感器。由于它测量精度高,体积小,重量轻,工作可靠,频率响应快等优点,受到......
镱是一种特种压阻材料,用其制作的薄膜传感器灵敏度高,响应速度快,可用于测量3GPa以下的冲击波压力在岩石、土壤及液体介质中的传......
随着半导体微电子学的发展和计算机的广泛应用,传感器也向着半导体化的方向发展.硅压阻式压力传感器是半导体传感器中历史较久的......
应变硅技术是提升亚微米器件性能与增加集成密度最有潜力的方法,它能够有效抑制器件短沟道效应,提升器件开关速度和驱动能力。应变......
面向高灵敏度、低功耗的MEMS传感器在国防军事、航空航天、深空探索等领域的重大应用和发展需求，本课题组在前期国家自然科学基金重......
目前Si材料中已经开始广泛应用结合场效应晶体管与悬臂梁结构的工艺以实现力电信号的转换。而高电子迁移率晶体管（High Electron Mo......
学位
多晶硅薄膜具有良好的压阻特性,晶粒结构和掺杂浓度决定其压阻特性.一般通过调节掺杂浓度改变压阻参数,但现有的多晶硅薄膜压阻系......
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力......
利用应力退耦模型，分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析，并推导出多晶硅压阻系数的表达式．实验结果表明......
本文介绍了固态压阻压力传感器的敏感芯片、工艺制作、装配结构设计思想和主要技术性能,并对这类压力传感器的应用作了简要说明。
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一、引言 目前国内半导体压阻式的微量程压力传感器生产尚未成型,处于研制阶段,主要存在下列问题:1.机械加工不能制造出膜片极薄......
