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为解决带有氮化硅薄膜工艺的BJT与JFET兼容的双极型集成电路横向PNP管和纵向PNP管放大系数衰减的技术难点，对此类电路的工艺现状进行分析并对工艺途径进行优化改善，在淀积氮化硅工艺前增加预刻孔工艺，释放氮化硅介质薄膜应力，使其与双极电路的特性相匹配，有效预防PNP管放大系数的衰减，提高了PNP管放大系数的稳定性。