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本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下（O2/Ar<30%）生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性.更多还原
电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究
【摘 要】
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本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下（O2/Ar<30%）生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层
【机 构】
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西安交通大学电气工程系,大连3280晶体管厂
【出 处】
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西安交通大学学报
【发表日期】
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1990年3期
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