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针对CLLC双向DC/DC变换器反向轻载降压运行,采用固定死区时间移相控制策略时,存在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）零电压开通（ZVS）丧失,导致效率下降的问题,提出了一种变死区时间移相控制策略。分析了CLLC反向轻载降压运行时,MOSFET的ZVS实现与死区大小和移相角度密切相关,推导了变死区时间移相控制策略的死区时间公式。试验结果表明变死区时间移相控制策略能够有效地实现CLLC反向轻载降压运行时MOSFET的ZVS,效率也高于固定死区时间移相控制策略。