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实验采用离子束溅射的方法，在氧化硅衬底上制备了结构为Ta／Ni／Cu／Fe40Co60／Ta多层膜．研究了cu层厚度对多层膜磁电阻的影响以及在制备Fe40Co60层和Ni层的过程中加相互垂直的外磁场对磁电阻的影响。实验发现，当Ta层厚度为5nm，Fe40Co60层厚度为6nm，Cu层厚度为2．6nm，Ni层厚度为6nm时，制备态薄膜GMR值达到1．6％，在各层厚度不变的情况下，在制备Fe40Co60层和Ni层过程中加相互垂直的外磁场可以使制备态薄膜的GMR值增加到2．3％。