自旋阀相关论文
自1965年英特尔的创始人Gordon Moore提出摩尔定律以来,集成电路产业一直沿着更小、更密、更快、性能更好的方向发展。近年来随着......
基于电子的电荷的属性而设计的传统半导体芯片和集成电路构成了现代信息技术的基础。电子除了是电荷的载体,同时也是自旋的载体。......
有机自旋阀器件是有机自旋电子学重要的研究对象之一。经过科研工作者的不懈努力,人们已在有机自旋阀器件的自旋注入、操纵和检测......
学位
过去二十年间,非易失性存储器制备技术的巨大进步导致了现代信息产业的革命。在这些纳米器件中,不同指向的磁畴构成了比特世界中的......
电子有两个属性:电荷和自旋。在之前的几十年,基于电子电荷属性的传统微电子学蓬勃发展,但其存在着功耗高,集成度低的问题。为了解......
学位
自旋是电子除电荷与质量外的另一个基本属性,基于电子自旋的自旋电子学器件也受到研究工作者越来越多的关注。本文应用磁控溅射和......
有机-无机杂化钙钛矿(OIHPs)是同时具有半导体性质、铁电极化、自旋轨道耦合三大物理属性的新型多功能材料,这三大属性可使光伏、......
垂直磁各向异性材料构成的磁性纳米柱自旋器件具有良好的热稳定性、较低的临界翻转电流以及受样品尺寸比影响小等突出优点。对于具......
自从在磁性多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应以来，由于基础研究和应用两方面的原因，自旋阀的GMR效应引起了人们广泛的兴趣。本文围绕着......
近年来，二维范德华晶体材料，如石墨烯、过渡金属硫化物，由于具有优良的物理、化学和力学特性，引起广大科研工作者的广泛关注。黑磷作为......
具有低饱和场、高灵敏度的自旋阀巨磁电阻材料，在磁记录读出磁头、随机存储器、磁传感器等方面具有重要的应用价值，已成为国内外研究......
自旋阀三明治结构因其低饱和场和高灵敏度已率先应用于计算机磁头技术和各种磁感应技术,是近年来高速、大容量磁存储技术能够快速......
本论文第一部分采用控电位电沉积法，在n-Si(111)晶面上制备了NiFe合金薄膜，并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件以及对应的电流效率......
电子既是电荷的载体，又是自旋的载体。以研究和控制电子的荷电特性及其输运特性为主要内容的微电子学，作为二十世纪人类最伟大的成就......
GMR自旋阀生物传感器(下简称GMR生物传感器)是一种能应用于快速诊断、高通量药物筛选等的敏感检测元件，能在海关进出口检疫、军事装......
石墨烯拥有众多优异的物理化学特性，比如高载流子迁移率、很强的机械强度和良好的化学稳定性等，使在在众多领域都展现出巨大的应用潜......
现代计算机技术的迅速发展,对硬盘的驱动器读写磁头提出了更高的要求,要求能满足高密度、一体化、小型化、集成化、高可靠、低能耗......
实验发现将Bi插入自旋阀多层膜Ta/NiFe/Cu/Bi(x)/NiFe/FeMn中可以显著地提高自旋阀的钉扎场Hex.采用XPS对Cu,Bi元素的分布情况进行......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
自旋电子学在研究早期被称为磁电子学,是凝聚态物理中发展起来的新科学分支,主要研究金属和金属氧化物及半导体中电子的自旋极化,......
为得到矫顽力和工作偏置点都合适的自旋阀结构,实验中采用NiFe/CoFe复合层作为自旋阀自由层并通过调节NiFe和CoFe的厚度来控制自旋......
期刊
利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(3.5nm)/Ni80Fe20(2nm)/Ir17Mn83(6nm)/Co90Fe10(1.5nm......
为设计性能优良的磁电阻传感单元,制作了一系列由不同宽度的单条GMR自旋阀磁电阻条所构成的传感器,并对并对它们的性能进行了测试.......
通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明,真空退火对自旋阀的性质有影响.低于200℃的退火能有效的提高钉扎场;退火温度高于200......
采用平面霍尔效应测量方法 ,对Ta(8nm) NiFe(7nm) Cu(2. 4nm) NiFe(4. 4nm) FeMn(14nm) Ta(6nm)自旋阀多层膜进行了研究 .结......
采用直流磁控溅射方法制备了一系列的合成反铁磁及以其为自由层的自旋阀.研究发现,在Ni81,Fe19与Ru层之间插入适当厚度的Co90Fe10......
用直流磁控溅射方法制备了双合成反铁磁结构Co90Fe10(5 nm)/Ru(z nm)/Co90Fe10(3 nm)/Ru(y nm)/Co90Fe10(5nm)(x=0.45,0.45,1.00;y......
采用X射线光电子能谱(XPS)研究了带有两种纳米氧化层(NOL)Ta/Ni80Fe20/Ir19Mn81/Co90Fe10∥NOL1∥Co90Fe10/Cu/Co90Fe10∥NOL2/Ta......
采用双槽控电位电沉积法在n—Si（111）基体上以NiFe薄膜为缓冲层制备了[Ni80Fe20／Cu／Co／Cu]。自旋阀多层膜，并确定了电沉积的工艺条件．利用......
利用退火技术制作出自旋阀型GMR线性传感器，传感器矫顽力低于0．01Oe，具有良好的线性，电阻条的宽度与传感器器线性范围和灵敏度直接相关......
采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的......
自旋阀结构是许多自旋电子器件（比如读出磁头、传感器）的基础。传统的自旋阎结构利用了铁磁／反铁磁交换偏置原理并由外磁场对其进行操......
巨磁阻效应的发现开辟了自旋电子学研究的新时代.目前,自旋电子学已经发展成为与磁学、半导体、微电子学、凝聚态物理等学科紧密结......
为研究自旋阀传感器单元自由层易轴取向对其线性度的影响,通过改变诱导磁场取向,制备了自由层易轴沿传感单元电阻条长轴与短轴的两......
对被钉扎层为CoFe的常规自旋阀材料和被钉扎层为人工合成反铁磁层(CoFe/Ru/CoFe)结构的自旋阀材料进行退火处理,利用四探针法测得......
优化材料性能参数和自旋阀巨磁阻磁头的结构参数是微磁器件实用化的关键．本文基于建立的物理计算模型，首先利用传输线方法和微磁学理......
采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta（5nm）/Co75Fe25（5nm）/Cu（2.5nm）/Co75Fe25（5nm）/Ir20Mn80（12nm）/Ta（8nm）的顶钉扎自旋阀多层膜,......
以巨磁电阻效应的发现为标志的自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息科学的交叉学科。本文对几种磁电阻效应及......
通过直流磁控溅射法在硅/二氧化硅基底上沉积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面......
2007年的诺贝尔物理学奖颁发给德、法的两位科学家，以表彰他们在19年前各自独立发现了巨磁电阻效应，为现代信息技术和电子学新领域的......
实验采用离子束溅射的方法，在氧化硅衬底上制备了结构为Ta／Ni／Cu／Fe40Co60／Ta多层膜．研究了cu层厚度对多层膜磁电阻的影响以及在制备Fe40......
对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析，并通过......
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜，并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器......
基于自旋阀结构的磁传感器因其优良的性能，在传感器家族中具有越来越重要的地位。在自旋阀磁传感器的研制过程中，自旋阀薄膜的制备与......
通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.通过结构的改善和......
采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr／Co／Cu／Co和NiFe／Co／Cu／Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列，并测试了自旋阀单......
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了N......
研制了一种传统结构的上钉扎巨磁电阻自旋阀,其结构为:Ta(6nm)/Ni81Fe19(4.5nm)/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn......
