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[期刊论文] 作者：丁扣宝,
来源：新课程 年份：2018
数形结合作为一种数学学习工具在初中数学中十分常见。它既是初中数学的基本解题思路也是教师常用的授课手段。对如今数形结合的应用重视度上、数形结合在初中数学里的应用思...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,
来源：太阳能学报 年份：2007
在一定输出电流及光照条件下，数值求解半导体器件基本方程，获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明，反型层电荷与工作状态有关，即：当输出电压为某一最佳值时，反型层电荷面......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,
来源：电子科学学刊 年份：1998
本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂浓度等优点。...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,
来源：半导体情报 年份：2001
从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了能级E的解析表达式.该式能够非常简单地确定...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2002
在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上，提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型，它也可以看作是对Zerbst模型的一种修正。新模型的标准偏差小于Pi......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,黄大海,,
来源：电子学报 年份：2013
提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,吴滔,
来源：微电子学 年份：2004
基于对半导体表面产生区宽度特点的分析,提出了与表面空间电荷区宽度呈线性关系的产生区宽度新模型.该模型形式简单,精度较高.数理统计分析结果表明,该线性模型是合理的....
[期刊论文] 作者：丁扣宝,潘骏,
来源：电子器件 年份：2002
研究了利用电流-电压(I-V)正向特性提取PN结二极管参数的方法.与通常使用的PN 结二极管模型不同,本文模型考虑了并联电导对电流的影响.在I-V特性曲线上读取四级(V,I)值,用牛...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,施红军,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1996
采用Ｉｅｄａ提出的载流子发射的三维模型，研究了半导体中载流子的电场增强产生现象，推导出基于三维模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系，并用于解释有关的实践结果。...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,潘骏,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
提出了MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法.通过在MOS C-t瞬态曲线上读取n个不同时刻的电容值,确定出相应的少子产生寿命值.该方法基于最小二乘法原理,可...
[期刊论文] 作者：毕净,丁扣宝,
来源：真空电子技术 年份：2002
提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。......
[期刊论文] 作者：霍明旭,丁扣宝,
来源：半导体技术 年份：2004
OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具.在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,...
[期刊论文] 作者：霍明旭, 丁扣宝,,
来源：江南大学学报 年份：2006
扩大显示桌面的有效方法之一是多屏显示,它不同于以往的双头显示技术,后者在每个显示设备上都显示相同的内容.在Linux操作系统下为了使用这一技术,在硬件设置好之后,需要配置...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：电子科学学刊 年份：1994
本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量，设计了相应的产生寿命C－t瞬态测量系统，能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的 自动化，提高了测量速度和准确度。应用于......
[期刊论文] 作者：丁扣宝,赵荣荣,
来源：微电子学 年份：1997
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,胡莲君,
来源：微电子学 年份：1995
研究了深能级中心电场增强载流子产生现象，得到的产生电流与产生宽度的理论关系，能较好地与实验结果相符合。...
[期刊论文] 作者：丁扣宝,张秀淼,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1995
本文采用Ｒａｂｂａｎｉ的产生区宽度，导出了描述线性电压扫描作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性的微分方程，通过积分这一微分方程，得到了描述线性电压扫描作用的ＭＯＳ电容器的电容一时间瞬态特性方程......
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