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[学位论文] 作者：万达经,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
随着CMOS集成电路工艺特征尺寸进入纳米级阶段,互连性能已经成为制约集成电路设计的关键因素之一。在纳米级工艺下,工艺波动带有随机性,会直接造成集成电路物理结构的改变,进...
[期刊论文] 作者：朱樟明,万达经,杨银堂,,
来源：物理学报 年份：2010
优化线宽和线间距已经成为改善系统芯片性能的关键技术.本文基于互连线线宽和线间距对互连延时、功耗、面积和带宽的影响,提出了基于多目标优化方法实现优化线宽和线间距的思...
[期刊论文] 作者：朱樟明,万达经,杨银堂,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
As the feature size of the CMOS integrated circuit continues to shrink, the more and more serious scattering effect has a serious impact on interconnection perf...
[期刊论文] 作者：朱樟明,万达经,杨银堂,恩云飞,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
As the feature size of the CMOS integrated circuit continues to shrink,process variations have become a key factor affecting the interconnect performance.Based...
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