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[会议论文] 作者：于淑珍[1]缪国庆[2]金亿鑫[2]张铁民[1]李志明[2]宋航[2]蒋红[2]曹连振[1],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
采用金属有机化学气相沉积技术,在Si(001)衬底上利用In纳米点作为成核点生长InP纳米线。扫描电子显微镜观察样品表面表明,InP纳米线根部弯曲、杂乱、与衬底所成的角度无规律,...
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