【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积技术,在Si(001)衬底上利用In纳米点作为成核点生长InP纳米线。扫描电子显微镜观察样品表面表明,InP纳米线根部弯曲、杂乱、与衬底所成的角度无规律,
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春 130033
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采用金属有机化学气相沉积技术,在Si(001)衬底上利用In纳米点作为成核点生长InP纳米线。扫描电子显微镜观察样品表面表明,InP纳米线根部弯曲、杂乱、与衬底所成的角度无规律,纳米线上端变直;纳米线直径为40-80nm,长度为0.5-2μm;纳米线顶端有球状In点,说明其生长机理为气-液-固(V-L-S)。透射电子显微镜(TEM)结果显示,纳米线为闪锌矿和纤维锌矿两种结构交替生长的结构。电子衍射表明纳米线是单晶结构。纳米线拉曼散射光谱存在两个散射峰,位置分别为302cm<-1> (TO)、340cm<-1> (LO)。
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