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[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：世界产品与技术 年份：2003
SOC已不是一块单一功能的集成电路芯片,而是具有复杂系统功能的芯片。它可在单一芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和I/O接口等功能,是单片多功能化更高级的发展,所以称...
[期刊论文] 作者：付士萍,,
来源：电子与封装 年份：2001
目前市场对存贮器的需求量越来越大,特别是对多功能、小体积产品的需求日盛,由此引起了叠式多芯片封装的增长.绝大多数芯片封装现在都是叠式存贮器,它使用堆叠结构只是为了节...
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体技术 年份：1995
ＧａＡｓＭＭＩＣ收发机已用于ＷＬＡＮ系统中据报道，美国ＤＡＩＣＯ工业公司开发的Ｐ３５－４７１０１－１单片ＧａＡｓＭＭＩＣ已用作２．４ＧＨｚＷＬＡＮ（无线局部区域网）的收发机。该收发机包括ＶＣＯ、上变频器、下变频器ＬＮＡ、前置放大器和后置放大器、收／发...GaAsMMIC Transcei......
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体技术 年份：1995
非破坏性相干检测纳米级亚微米结构的ＡＦＭ据报道，Ｖｅｅｃｏ公司开发出自动化程度和精度均是绝无仅有的ＤｅｋｔａｋＳＸＭＡＦＭ（原子力显微镜）。这种显微镜可自动测量沟道的长、宽、高，精度达４ｎｍ，不论何种材料，都可检测，且不......
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体技术 年份：1995
光学光刻２００３年将达１５０ｎｍ过去的报导一致认为，１２０ｎｍ是光学光刻的极限，２５６ＭＤＲＡＭ需要的２５０ｎｍ常规分辨率将在１９９７年实现，但对于能否达到适用于１ＧＤＲＡＭ的１５０ｎｍ特征尺寸尚不清楚。现在此问题已经明朗，极限仍是１２０ｎｍ，而利用...Optical l......
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体情报 年份：1995
杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法。该方法对于１０￣（１４）～１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中激励强度、温度的影响以及......
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体情报 年份：1996
高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺杂基极薄层，制作出的ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ双异质结双极晶体管（ＤＨＢＴ），既得......
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体情报 年份：2000
在东京大学的热动力学研究专家 Seri教授和 Kourin助教的鼎力相助下 ,位于日本东京的住友电子工业公司生长出 2英寸单晶 Ga N衬底 ,足以满足蓝光激光器的实用要求。与目前采...
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体情报 年份：1997
在自由式微结构如束、振动膜和过载传感器的制造过程中，经常遇到的一个难题是分离开粘连在衬底上的微结构。这种现象出现在牺牲腐蚀工艺完成后晶片干燥期间。另外，牺牲层的腐蚀......
[期刊论文] 作者：付士萍,
来源：半导体情报 年份：1996
世界半导体市场萧条世界半导体市场目前正处于前所未有的萧条期。截止今年上半年，其销售额从１９９５年底的最高峰迅速下滑。许多半导体公司大量减产以减缓价格的下跌，然而，仍然无济于事......
[期刊论文] 作者：Qzgur.,a,付士萍,
来源：半导体情报 年份：1996
成功地制作出常断ＧａＮ基ＭＯＤＦＥＴ（调制掺杂ＦＥＴ）。该器件的栅长和沟道长度分别为３和５μｍ，其非本征跨导高达１２０ｍＳ／ｍｍ，在正栅偏压为３Ｖ时其电流为３００ｍＡ／ｍｍ。该跨导值与先前报道的栅长分别为１和０．２３μｍ、跨导分别为４５和２４ｍＳ／ｍｍ的器件相比，是......
[期刊论文] 作者：Henry.,A,付士萍,
来源：半导体情报 年份：1995
杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量６Ｈ－ＳｉＣ中氮杂质的校准方法，该方法对于１０＾１４～１０＾１６ｃｍ＾－３浓度范围内的ｎ型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中的激励强度，温度的影响以及与......
[期刊论文] 作者：S.C.Binari,付士萍,,
来源：半导体情报 年份：1996
用 MOCVD 法制备了在高电阻率 GaN 层上生长沟道厚度为0.25μm的GaN MESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件,测得其 f_T 和 f_(max)分别为8和17GHz。...
[期刊论文] 作者：S.Keller,付士萍,,
来源：半导体情报 年份：1996
我们在 c 面蓝宝石上用常压 MOCVD 法得到了高质量 InGaN 外延层。研究表明,In 分凝系数不仅与生长温度有关,而且与 InGaN 薄膜的生长速度有关。观测到了在生长温度低至700℃...
[期刊论文] 作者：A.Qzgur,付士萍,,
来源：半导体情报 年份：1996
成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压为3V时其电流为300mA/mm。该跨导值与先前报...
[期刊论文] 作者：Kelle.,S,付士萍,
来源：半导体情报 年份：1996
我们在ｃ面蓝宝石上用常压ＭＯＣＶＤ法得到了高质量ＩｎＧａＮ外延层。研究表明，Ｉｎ分凝系数不仅与生长温度有关，而且与ＩｎＧａＮ薄膜的生长速度有关。观测到了在生长温度低至７００℃，Ｉｎ摩尔分数达０．２０时生长的ＩｎＧａＮ膜的强烈的能带......
[期刊论文] 作者：付士萍,王中天,
来源：半导体情报 年份：1997
在自由式微结构如束、振动膜和过载传感器的制造过程中，经常遇到的一个难题是分离开粘连在衬底上的微结构。这种同象出现在牺牲腐蚀工艺完成后晶片干燥期间。另外，牺牲层的腐蚀......
[期刊论文] 作者：Bina.,SC,付士萍,
来源：半导体情报 年份：1996
用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。......
[期刊论文] 作者：李拴庆,付士萍,
来源：半导体技术 年份：2001
概述了微电子机械系统(MEMS)的特点、理论和技术基础。详细介绍了微型传感器、微型执行器、微型光机电系统(MOEMS)、微型生物化学芯片、微型机器人、微型飞行器、微型动力系...
[期刊论文] 作者：付士萍,彭官忠,
来源：半导体情报 年份：2000
从势垒层和籽晶层、低ｋ介质、检测和计量以及光刻等方面详细阐述了１００ｎｍ技术的开发情况及其所面临的问题。...
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