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[期刊论文] 作者：付竹西,
来源：发光与显示 年份：2004
本文分析了目前测交流电致发光屏功耗通用的补偿法所存在的问题,并通过计算导出此法适用的范围。在此基础上设计了交流电桥法,直接测量发光屏等效电阻和等效电容,通过等效电...
[会议论文] 作者：郭常新,付竹西,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：付竹西,林碧霞,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：林鸿生,马雷,付竹西,
来源：光电子技术 年份：2001
本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p...
[期刊论文] 作者：许小亮,杨晓杰,付竹西,
来源：功能材料 年份：2003
ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,刘秉策,付竹西,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
ZnO films have been prepared on p-type Si substrates by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) at different total gas flow rates. The current versus v...
[会议论文] 作者：刘磁辉;徐小秋;钟泽;付竹西;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DL...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,刘秉策,马泽宇,段理,付竹西,,
来源：功能材料 年份：2006
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜，随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性，异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,姚然,苏剑锋,马泽宇,付竹西,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主，价带D^0h发光,ZnO／p-Si结构经空气中700℃退火1h，然后进行X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱和I-V特性测量，实验得到不同载气流量制备......
[期刊论文] 作者：刘磁辉,林碧霞,朱俊杰,付竹西,彭聪,杨震,陈宇林,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2001
The electrical properties of a type of semiconductor heterostructure fabricated by depositing zinc oxide film on a silicon substrate are investigated. The I - V...
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