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[期刊论文] 作者：刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,仙文岭,饶竞时,
来源：半导体学报 年份：2004
研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程，并成功进行了流片试验．测试结果显示，......
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