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研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程，并成功进行了流片试验．测试结果显示，高压NMOS耐压达到98V，高压PMOS耐压达到-66V．此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路。