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[期刊论文] 作者：傅俊兴,,
来源：中国水利 年份：1965
'‘鸡毛不能上天’这个古代的真理,在社会主义时代,它已经不是真理了。穷人要翻身了。旧制度要灭亡,新制度要出世了。鸡毛确实要上天了。'这是1955年12月,毛主席在《...
[期刊论文] 作者：杨银堂,傅俊兴,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
在对器件结构材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术，确定双层结构的最佳厚度值以及选择适......
[期刊论文] 作者：杨银堂,傅俊兴,孙青,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
在对器件结构中材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术、确定双层结构的最佳厚度值以及选......
[期刊论文] 作者：孙建诚,景俊海,杨银堂,傅俊兴,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文研究了硅衬底上Hg敏化光CVD-SiO2薄膜的附着力和应力.结果表明,Hg敏化光CVD-SiO2薄膜与硅衬底附着良好,附着力大于6.3×108dyne/cm2（6.3×107Pa）;这种薄膜呈现为张应力,应...
[期刊论文] 作者：孙建诚,孙青,景俊海,傅俊兴,王玉清,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1988
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果...
[期刊论文] 作者：孙建诚,孙青,景俊海,傅俊兴,王玉清,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文简述了Hg敏化光CVD-SiO2薄膜的原理及方法.在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜.讨论了薄膜的物理和化学性质,结果表明:光CVD技术在半导体低温化工...
[报纸论文] 作者：孙建诚, 孙青, 景俊海, 傅俊兴, 王玉清,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1988
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果...
[会议论文] 作者：孙建诚, 孙青, 景俊海, 傅俊兴, 王玉清,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文简述了Hg敏化光CVD-SiO2薄膜的原理及方法.在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜.讨论了薄膜的物理和化学性质,结果表明:光CVD技术在半导体低温化工...
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