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[期刊论文] 作者：傅春寅,鲁永令,
来源：电子科学学刊 年份：1990
正向小注入下分析了P~+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其...
[期刊论文] 作者：王红理,傅春寅,
来源：光子学报 年份：1996
本文用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法对ｐ型单晶硅中ｎ＾＋ｐ结掺金形成的两个深能级进行了实验研究，并对ＤＬＴＳ方法中传统计算深中心浓度分布的公式进行了改进，给出了深能级及相对浓度分布更为准确的测量结......
[期刊论文] 作者：傅春寅,鲁永令,
来源：半导体学报 年份：1984
稀土元素Yb在1050℃扩散30分钟,已被引进硅中.它在P型硅中形成两个空穴陷阱Ev+0.38eV和 Ev+0.49cV,在N型硅中形成一个电子陷阱 Ec-0.33eV.它们的电激活浓度都在10~(13)cm~(-3...
[期刊论文] 作者：傅春寅,鲁永令,
来源：半导体学报 年份：2004
用CWCO_2激光器已把淀积到硅片上的金引入到了硅中.硅中金的表面浓度达到4×10~(11)cm~(-3).用SIMS和DLTS技术研究了掺杂行为.Gold deposited onto silicon wafers has bee...
[期刊论文] 作者：鲁永令,傅春寅,
来源：半导体学报 年份：2004
用Q开关Nd:YAG脉冲激光辐照淀积在Si上的稀土元素Yb,当输出能量密度≥6.0J/cm~2时,成功地把Yb引入Si中.用二次离子质谱(SIMS)分析指出进入Si中Yb的表面浓度为3 ×10~(11)/cm~...
[期刊论文] 作者：曾树荣,鲁永令,傅春寅,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1988
This paper reports some results in the investigation of deep levels in titaniumdiffusion-doped silicon;there Ti-related doep levels are observed by the DLTS.Th...
[期刊论文] 作者：傅春寅,鲁永令,曾树荣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
Ce has been introduced into the Si single crystal by means of vacuum deposition of Ce onto a Si wafer and then annealing at 1050℃ for 20 hours in vacuum.In the...
[期刊论文] 作者：曾树荣,鲁永令,傅春寅,
来源：电子科学学刊 年份：1987
本文报道研究扩散掺钛的硅中深能级的结果。用DLTS法观测到三个与钛有关的深能级,即在n-Si(Ti)中有二个电子陷阱,能级位置分别为E_c—0.23eV和E_c—0.53eV,在p-Si(Ti)中有一...
[期刊论文] 作者：傅春寅,鲁永令,曾树荣,
来源：电子科学学刊 年份：1989
在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出...
[期刊论文] 作者：傅春寅,鲁永令,曾树荣,
来源：电子科学学刊 年份：1990
正向小注入下分析了P~+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其...
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