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[期刊论文] 作者:余怀之,冯德伸, 来源:薄膜科学与技术 年份:1995
[期刊论文] 作者:杨海,苏小平,冯德伸,, 来源:中国科技成果 年份:2010
美国、俄罗斯、中国、印度、日本、欧洲等国家都投入大量的资源发展空间技术.目前,空间电源的主要来源是太阳电池.但由于传统的硅太阳电池受到空间辐射后电池性能衰减较快,转...
[会议论文] 作者:李楠;王宁;冯德伸;, 来源:第十届全国青年材料科学技术研讨会 年份:2005
采用CZ法拉制晶向为Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程.对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响...
[期刊论文] 作者:左建龙,冯德伸,李楠,, 来源:稀有金属 年份:2010
直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位...
[期刊论文] 作者:余怀之,冯德伸,刘建平, 来源:RARE METALS 年份:1996
LowTemperatureGrowthofGaAsonSibyIonBeamClusterTechniqueYuHuaizhi,FengDeshen,LiuJianping(余怀之)(冯德伸)(刘建平)(GeneralResearchInstitu.........
[期刊论文] 作者:纪红,王超群,王思爱,冯德伸,, 来源:理化检验(物理分册) 年份:2008
采用Hiroshi Suzuki等人提出的新的单晶应力测量原理,结合不对称布拉格衍射技术,对锗单晶的应力进行了测量。这种方法的优点在于利用多组试验数据求解多元线性回归方程,从而...
[期刊论文] 作者:马绍芳,裴玉兰,冯德伸,解红霞, 来源:广东微量元素科学 年份:1998
采用直拉法研制了大直径红外光学锗单晶,测量了其光学性能和力学性能。A large diameter infrared optical germanium single crystal was fabricated by Czochralski metho...
[期刊论文] 作者:马绍芳,裴玉兰,冯德伸,解红霞, 来源:广东微量元素科学 年份:1998
研制了耐高压的球形锗窗,测量了其光学和力学性能。Developed a high pressure spherical germanium window, measured its optical and mechanical properties....
[期刊论文] 作者:余怀之,吕玉林,刘建平,冯德伸, 来源:半导体学报 年份:1994
本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下在Si衬底上外延生长GaAs的初步实验结果.实验表明:As+离子束轰击对于去除Si上自然氧化层是有效的,在衬底温度为550℃得到GaAs单晶.This paper d......
[期刊论文] 作者:冯德伸,苏小平,闵振东,尹士平,, 来源:稀有金属 年份:2006
采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶,讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响,测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量,结果表明单晶满足红外光学系统...
[期刊论文] 作者:王思爱, 苏小平, 冯德伸, 尹士平,, 来源:稀有金属 年份:2007
退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃...
[期刊论文] 作者:曲骏, 冯德伸, 马远飞, 林泉, 闵振东,, 来源:世界有色金属 年份:2019
锗材料在军事、航空航天、探测等领域有着广泛的应用,对其表面质量有着严格的要求。由于自身的易解理、脆性大的特性使得在加工过程中存在着不少的加工难度。本文基于DEFORM...
[期刊论文] 作者:张廷慧, 郑安生, 冯德伸, 林泉, 张嘉亮,, 来源:稀有金属 年份:2004
锗单晶生长中常通过掺入杂质以得到所需溶质浓度和电阻率,分凝现象和溶质边界层的存在使得单晶电阻率沿晶体生长方向存在较大差异,通常为了满足电阻率范围要求需缩短单晶生长...
[期刊论文] 作者:冯德伸,李楠,苏小平,杨海,闵振东,, 来源:稀有金属 年份:2008
采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm^-2,满足空间...
[期刊论文] 作者:张嘉亮, 郑安生, 冯德伸, 林泉, 朱显超,, 来源:稀有金属 年份:2004
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[期刊论文] 作者:张廷慧,郑安生,冯德伸,林泉,张嘉亮, 来源:稀有金属 年份:2018
[期刊论文] 作者:张嘉亮,郑安生,冯德伸,林泉,朱显超, 来源:稀有金属 年份:2019
[期刊论文] 作者:丁国强,苏小平,张峰燚,黎建明,冯德伸,, 来源:稀有金属 年份:2011
VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主...
[期刊论文] 作者:李苗苗,苏小平,冯德伸,王学武,左建龙,, 来源:金属功能材料 年份:2010
硅太阳能电池由于光电转换效率低和温度特性差等因素,最近几十年其在聚光光伏技术中并没有得到更大的发展,而砷化镓及相关Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池因其高光电转换效率而越来...
[期刊论文] 作者:高欢欢, 黎建明, 冯德伸, 王霈文, 李葳,, 来源:稀有金属 年份:2004
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
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