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[期刊论文] 作者：刘光诒,
来源：电子科技导报 年份：1995
本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。...
[期刊论文] 作者：刘光诒,
来源：太阳能 年份：2004
对Al掺杂的ZnO膜(AZO),一般是通过空心阴极气流溅射法,采用Zn-Al合金靶,将它沉积在玻璃上.溅射功率通常固定在1500W,室温下,O2流量为38～50 sccm,可沉积出电阻率0.81×10-3～1.1...
[期刊论文] 作者：刘光诒,,
来源：太阳能 年份：2013
反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术,至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件。我们研究了Al-O2反应溅射过程中,总气体流量与溅射功率对临界靶过渡模式...
[期刊论文] 作者：刘光诒,,
来源：太阳能 年份：2014
图2为采用GFS法沉积出AZO膜的XRD图,其中,Ar流量为3000 sccm,总气体压强为50 Pa,O2流量为10~50 sccm。沉积在未加热衬底玻璃上的AZO薄膜厚度在500~600nm范围内;当衬底加热到2...
[会议论文] 作者：刘光诒,刘金声,
来源：第五届全国场致发射学术讨论会 年份：1994
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[期刊论文] 作者：张奇,刘光诒,
来源：电子学通讯 年份：2004
本文是400千伏高速X射线摄影机的研制报告。文章叙述了改进型的Marx发生器的原理。400千伏高速X射线摄影机的性能指标以及这种摄影机在弹道学、爆炸力学方面应用的初步结果。...
[期刊论文] 作者：都世民,刘光诒,
来源：系统工程与电子技术 年份：1992
本文讨论了对光波谐振的飞秒整流组件的物理模型和有关机理,研究了由这种组件所构成的微型阵的设计问题,并对其参数作了分析。预计了微型阵列所产生的喇曼散射谱增强效应,讨...
[期刊论文] 作者：刘光诒,殷志强,
来源：太阳能 年份：2014
对Al掺杂的ZnO膜（AZO），一般是通过空心阴极气流溅射法，采用zn．Al合金靶，将它沉积在玻璃上。溅射功率通常固定在1500W，室温下，O2流量为38—50sccm，可沉积出电阻率0．81×10^-3～1．1×......
[期刊论文] 作者：刘光诒,殷志强,
来源：太阳能 年份：2014
图2为采用GFS法沉积出AZO膜的XRD图,其中,Ar流量为3000 sccm,总气体压强为50 Pa,O2流量为10 ～ 50 sccm.沉积在未加热衬底玻璃上的AZO薄膜厚度在500 ～ 600nm范围内;当衬底加热到...
[会议论文] 作者：刘光诒,吕庆年,
来源：第九届真空电子学学术会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：刘光诒,庄学曾,
来源：第六届全国毫米波、亚毫米波学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：陈博贤,刘光诒,等,
来源：真空电子技术 年份：2001
从泊松（Poisson)方程出发，出了平行平面形真伫微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。...
[期刊论文] 作者：刘光诒,吕永积,等,
来源：液晶与显示 年份：2001
提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（VFLS）管，与国际上传统的真空荧光光源管比较，新的器件在大面积碳场发射阴极，厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源......
[期刊论文] 作者：刘光诒(译),殷志强(校),
来源：太阳能 年份：2013
反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术，至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件。我们研究了Al-O2反应溅射过程中，总气体流量与溅射功率对临界靶过渡模式的......
[期刊论文] 作者：都世民,刘光诒,陈芳允,
来源：系统工程与电子技术 年份：1992
本文讨论了对光波谐振的飞秒整流组件的物理模型和有关机理,研究了由这种组件所构成的微型阵的设计问题,并对其参数作了分析。预计了微型阵列所产生的喇曼散射谱增强效应,讨...
[期刊论文] 作者：庄学曾,夏善红,刘光诒,
来源：电子科学学刊 年份：1997
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解...
[期刊论文] 作者：刘光诒,Hiroshi Takeda,Yasushi Sat,Yoshinori Iwabuch,,
来源：太阳能 年份：2014
对Al掺杂的Zn O膜(AZO),一般是通过空心阴极气流溅射法,采用Zn-Al合金靶,将它沉积在玻璃上。溅射功率通常固定在1500 W,室温下,O2流量为38~50 sccm,可沉积出电阻率0.81×10-3...
[会议论文] 作者：刘光诒,朱敏慧,刘武,夏善红,
来源：第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 年份：1999
本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极，并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实，由阵列场发射阴极工作的特点出发，在总结归纳的基础上，简单介绍了当前国内外学者最......
[期刊论文] 作者：刘光诒,夏善红,朱敏慧,刘武,
来源：电子与信息学报 年份：2001
阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一,发展迅速,某些先进电子物理装置内的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总结、归纳与评价;对近年来信......
[会议论文] 作者：刘光诒,刘武,朱敏慧,夏善红,
来源：第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会 年份：1999
本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极，并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实，由阵列场发射阴极工作的特点出发，在总结归纳的基础上，简单介绍了当前国内外学者最看重的几种阵列场发射阴极的现状。......
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