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[期刊论文] 作者：刘力俊,张志勇,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2016
硅基互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)场效应晶体管工艺已经发展到了14 nm技术节点,预计将很快到达其极限,需要寻找新的信息器件来延...
[会议论文] 作者：刘力俊,张志勇,彭练矛,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
我们对基于单根碳纳米管的互补型金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(FET)的接触长度(Contact Length,Lc)缩减行为进行了实验探究,低功函数金属钪(Sc)和高功函数金属钯(Pd)分别用来形成与碳纳米管的n 型和p 型接触,并且设计的电极接触长度范围从30 nm 到140 nm......
[期刊论文] 作者：梁建立,张希斌,乔世忠,刘力俊,,
来源：电源技术应用 年份：2005
介绍了一种新型的沿面放电陶瓷片臭氧电源的工作原理。该型电源经过工业试运行已投入批量生产，目前已开发出100W～300W的系列产品，使用结果证明其效率高，工作稳定，抗干扰能力强。......
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