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[学位论文] 作者：刘必慰,,
来源： 年份：2009
辐射环境中的高能粒子入射半导体材料时,其轨迹上淀积的电荷将被敏感节点收集,引发单粒子效应。单粒子效应将引起存储数据错误,影响后续计算,甚至半导体器件永久损坏,从而导...
[期刊论文] 作者：孙永节, 刘必慰,,
来源：国防科技大学学报 年份：2012
DICE单元是一种有效的SEU加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读写过程中发生的SEU失效以及其外围电路中发生的失效,仍然是加固SRAM中的薄弱环节。针对这些问题,提出了分离位...
[期刊论文] 作者：刘必慰,陈书明,汪东,,
来源：计算机应用研究 年份：2007
为了进一步提高微处理器性能，提出了多种新颖的体系结构，如多核、流处理、PIM、可重构、多态等。这些新的体系结构从不同角度对微处理器发展中的问题提出了解决方法。概述了这......
[期刊论文] 作者：刘必慰,陈书明,梁斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
提出了一种新的SEU加固单元,该单元在保持Whitaker单元基本结构的基础上增加4个晶体管以消除电平退化.SPICE模拟结果表明该单元读写功能正确,静态电流较Whitaker单元下降了4...
[期刊论文] 作者：梁斌,陈书明,刘必慰,,
来源：半导体学报 年份：2008
利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV.cm2/mg的条件下,当温...
[期刊论文] 作者：刘必慰,郝跃,陈书明,
来源：半导体学报 年份：2008
使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转（multiple node upset ,MNU）问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU（multiple b...
[期刊论文] 作者：梁斌,陈书明,刘必慰,
来源：半导体学报 年份：2008
采用三维TCAD模拟的手段,针对0.18μm工艺下的真实p-n结,研究了偏压、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响.研究结果表明,在1.62-1.98V的范围内,偏压对电...
[会议论文] 作者：冯睿,刘必慰,郭阳,
来源：第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10) 年份：2010
本文设计了一款抗辐照ROM,完成了该ROM结构中的预充、译码、敏感放大器、控制电路等部件的电路设计,并从高性能低功耗的角度进行了优化,在整个版图的布局结构上考虑了抗闩锁,...
[期刊论文] 作者：刘必慰,陈书明,梁斌,,
来源：半导体学报 年份：2009
The temperature dependence of charge sharing in a 130 nm CMOS technology has been investigated over a temperature range of 200 to 420 K.Device simulation result...
[期刊论文] 作者：刘必慰,郝跃,陈书明,,
来源：半导体学报 年份：2008
使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset ,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU(multipl...
[期刊论文] 作者：陈书明,杜延康,刘必慰,,
来源：国防科技大学学报 年份：2012
随着工艺尺寸的不断缩小,组合电路引起的SER（Soft Error Rates）越来越严重。针对使用HSPICE计算组合电路软错误率速度较慢以及使用传统的组合电路软错误率分析工具在对待重汇聚...
[期刊论文] 作者：胡晓旭,刘必慰,陈书明,,
来源：计算机研究与发展 年份：2015
存储器与控制器的接口模块在如今多倍速率存储器(DDR,QDR等)中作为存储体和控制器之间信号的中转站起着至关重要的作用,接口模块通过时序的校准和数据的串并转换保证了高速数...
[会议论文] 作者：韩卫利,刘必慰,郭阳,
来源：第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10) 年份：2010
SRAM是对辐射效应最敏感的电路之一,也是抗辐射加固的关键.本文实现了一款抗辐照加固SRAM,详细介绍了该SRAM的结构以及对SEU和SEL的加固方法,并且给出了模拟验证结果....
[会议论文] 作者：张新芳,刘必慰,郭阳,陈书明,
来源：第九届计算机工程与工艺全国学术年会 年份：2005
本文提出一种基于JTAG边界扫描实现的对DSP芯片进行仿真调试的结构.该结构使用DSP的主机口访问芯片内部的断点模块,设置硬件断点和单步操作,同时访问芯片的所有存储空间,满足...
[会议论文] 作者：向文超,刘必慰,郭阳,
来源：第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’) 年份：2009
辐射效应对集成电路的影响随着工艺尺寸的下降而增加,本文将从单粒子翻转、单粒子闩锁、总剂量效应等方面分析存储单元加固技术的各种可行方法,并阐述各种方法的优、缺点....
[期刊论文] 作者：陈建军,陈书明,梁斌,刘必慰,,
来源：半导体学报 年份：2004
The effect of negative bias temperature instability(NBTI) on a single event transient(SET) has been studied in a 130 nm bulk silicon CMOS process based on 3D TC...
[会议论文] 作者：尹亚明,陈书明,刘必慰,
来源：2008年中国计算机学会体系结构专委会学术年会(ACA08) 年份：2008
随着应用需求的不断增长和工艺技术的发展,单核DSP处理能力已不能满足如3G移动通信、数字消费类电子和智慧控制设备等特定应用领域的运算需求,多核DSP逐渐成为业界研究的热点并得到广泛推广和应用。QDSP是自行研制的一款多核DSP SoC系统,本文针对该系统中的片间......
[会议论文] 作者：王振,刘必慰,陈跃跃,
来源：第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’) 年份：2009
本文根据CMOS器件单粒子闩锁、单粒子翻转和总剂量的机理和测试方法,以CMOS加固SRAM为对象,研制了SRAM辐射效应测试系统,可在多种辐射源下进行SRAM的单粒子闩锁、单粒子翻转和总剂量的实验.......
[期刊论文] 作者：刘必慰,李振涛,刘祥远,,
来源：计算机工程与科学 年份：2014
为提高微电子及相关专业研究生VLSI设计实践能力，国防科学技术大学开设了《VLSI设计综合实践》课程。介绍了该课程的教学内容、教学方法、教学团队的情况。该课程参考借鉴了国...
[期刊论文] 作者：刘必慰,陈书明,梁斌,刘征,,
来源：半导体学报 年份：2008
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态（single event transient,SET）脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入...
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