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[期刊论文] 作者：刘磁辉,王晓平,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1996
采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构。Ｉ－Ｖ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ｉ－Ｖ特性随温度变化的关系。在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱......
[期刊论文] 作者：彭英杰,刘之景,刘磁辉,
来源：物理 年份：2003
随着人类基因组测序的完成和蛋白组学工程的开展,具有高产出测序的特性的DNA微阵列技术的发展日新月异,其应用已经深入到了生命科学研究的很多方面.与此同时,几种新的DNA微阵...
[会议论文] 作者：刘秉策;刘磁辉;易波;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
使用激光脉冲沉积技术(Pulse Laser Deposition technique,PLD)制备了ZnO/n—Si同型异质结。部分样品在O2-800℃的条件下进行了1个小时的退火处理.对未退火样品(S1)和O2—800...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,刘秉策,付竹西,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
ZnO films have been prepared on p-type Si substrates by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) at different total gas flow rates. The current versus v...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,徐小秋,钟泽,傅竹西,
来源：半导体学报 年份：2007
用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS...
[会议论文] 作者：刘磁辉;徐小秋;钟泽;付竹西;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DL...
[期刊论文] 作者：刘秉策,刘磁辉,徐军,易波,,
来源：半导体学报 年份：2010
Heteroepitaxial undoped ZnO films were grown on Si(100) substrates by radio-frequency reactive sputtering, and then some of the samples were annealed at N2-800...
[期刊论文] 作者：刘秉策,刘磁辉,孙利杰,易波,,
来源：发光学报 年份：2010
使用脉冲激光淀积（PLD）技术在n型Si衬底上沉积氧化锌（ZnO）薄膜,在O2气氛下对样品进行了500℃（Sample1,S1）,600℃（Sample2,S2）,700℃（Sample3,S3）和800℃（Sample4,S4）退火,随后进行了X射线......
[期刊论文] 作者：严钢,刘之景,王克逸,刘磁辉,
来源：激光技术 年份：2005
介绍了半导体和金属型两类单壁碳纳米管的快速分类法,概述了它们的发光机理及其最新应用,所做的数值计算与已有的实验结果相一致....
[期刊论文] 作者：唐文洁, 刘之景, 陶进绪, 刘磁辉,
来源：半导体技术 年份：2004
常温下硅纳米晶构成的MOSFET存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在ULSI中有重要的应用前景.它是当前ULSI研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊...
[期刊论文] 作者：朱俊杰,刘磁辉,林碧霞,谢家纯,傅竹西,
来源：发光学报 年份：2004
近年来 ,随着对宽禁带半导体材料 ,氧化锌薄膜研究的快速发展 ,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用 ,并对初步测量结果作...
[期刊论文] 作者：黄娆, 刘之景, 王克逸, 金乐天, 刘磁辉,
来源：强激光与粒子束 年份：2004
利用回音壁模式微球腔的高Q谐振原理,可以获得微球激光.研究了微球腔的特点和微球激光产生的原理,介绍了单量子点、表面栅耦合和光纤耦合三种微球激光器,讨论了获得高Q值微球...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,苏剑锋,张伟英,田珂,傅竹西,,
来源：发光学报 年份：2008
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜，并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO／Si薄膜中缺陷以及折射率的影响，由深能级瞬态谱（DLTS）以及......
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,刘磁辉,朱弘,刘宏图,
来源：发光学报 年份：1995
测量了多孔硅的喇曼光谱，观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应．用微晶模型对此现象进行了解释：认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的，更主......
[期刊论文] 作者：刘磁辉,林碧霞,王晓平,刘宏图,傅竹西,
来源：人工晶体学报 年份：2003
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中N...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,刘秉策,马泽宇,段理,付竹西,,
来源：功能材料 年份：2006
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜，随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性，异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算...
[期刊论文] 作者：刘磁辉,姚然,苏剑锋,马泽宇,付竹西,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主，价带D^0h发光,ZnO／p-Si结构经空气中700℃退火1h，然后进行X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）谱和I-V特性测量，实验得到不同载气流量制备......
[期刊论文] 作者：刘磁辉，徐小秋，钟泽，傅竹西，LiuCihui，XuXiaoqiu，ZhongZe，FuZhuxi,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：高琛,黄孙祥,陈雷,刘磁辉,刘小楠,鲍骏,
来源：无机材料学报 年份：2004
液滴喷射技术具有结构简单、成本低、定位精度高等优势,除喷墨打印外,在无模具成形、微机械和微器件制造、生物芯片、材料合成等领域有广泛的应用前景.本文综述这些进展,并简...
[期刊论文] 作者：刘磁辉, 陈建新, 赵学恕, 孙璟兰, 李名复,,
来源：中国科学院研究生院学报 年份：1989
用电流DLTS方法测量了N型Si中S形成的E1—E5 5个深能级。除E1,E2能级对应过去报争的S双施主外,E3=Ec-0.31ev,E4=Ec-0.16ev,E5=Ec-0.15ev,可能是S对或S团形成的深能级。E3,E4...
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