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[期刊论文] 作者：Alberto Guerra,Jason Zhang,刘钺杨,
来源：电力电子 年份：2010
GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著......
[期刊论文] 作者：高建华,林鹏,刘钺,杨国胜,
来源：河南化工 年份：1999
荧光分光光度法测定乳酸环丙沙星的含量，当缓冲溶液 ｐＨ值为 ２． ００，激发波长为２８１．５ｎｍ，发射波长为４４７．６ｎｍ处，荧光强度与浓度成线性关系。线性范围为０～６．０μｇ／ｍＬ，平均回收率为１０４．９％（ｎ＝６）。Fluorescence spectrophotometric......
[会议论文] 作者：胡冬青,刘钺杨,贾云鹏,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会 年份：2010
内透明集电区（Internal Transparent Collector,简称ITC）绝缘栅双极晶体管是新一类IGBT,它在传统PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制（LCLC）层,只要该层内载流子寿命足够低,则LCLC层对其以下衬底内的空穴具有“屏蔽”作用,从而使集电区......
[期刊论文] 作者：田飞飞,吴郁,胡冬青,刘钺杨,,
来源：现代电子技术 年份：2011
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足，提出一种LDMOS宏模型。在本研究中，借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真，并对2种LDMOS器...
[期刊论文] 作者：刘钺杨,金锐,赵哿,于坤山,,
来源：半导体技术 年份：2013
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关...
[会议论文] 作者：张冲,于坤山,金锐,刘钺杨,刘江,
来源：第四届电能质量及柔性输电技术研讨会 年份：2012
本文介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)与快恢复二极管(FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景以及发展趋势。阐述了器件仿真软件IsE的基本方程与物理模型，利用ISE软件中的MDRAW，DESSIS，TECPLOT和INSPECT对IGBT与快恢复二极管的匹配技术进行初步仿真与研究，得到影响IGBT与......
[会议论文] 作者：何延强,刘钺杨,吴迪,金锐,温家良,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
新型低阳极二极管通过孔注形成"波浪形"有源区结构,实现高掺杂P区和低掺杂P区具有规律性的浓度梯度变化,从而保证器件工作过程中电流的均匀性和低漏电流.此结构在制造实现时,...
[会议论文] 作者：刘钺杨;胡冬青;贾云鹏;吴郁;田飞飞;,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会 年份：2010
绝缘栅双极晶体管（简称IGBT）是电力电子领域应用非常广泛的器件。目前国内产业界对IGBT研究很热,1200V NPT-IGBT已有生产,600V NPT-IGBT不久将来也将成为产业化的目标。而IGBT...
[期刊论文] 作者：何延强,刘钺杨,吴迪,金锐,温家良,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p~+区和低掺杂p~-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造...
[期刊论文] 作者：赵哿,刘钺杨,韩荣刚,金锐,于坤山,,
来源：智能电网 年份：2013
介绍绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistors,IGBT)与快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景及发展趋势。为更好地研究IGBT...
[期刊论文] 作者：高明超,刘钺杨,刘江,赵哿,金锐,于坤山,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿...
[期刊论文] 作者：穆辛,周新田,张慧慧,金锐,刘钺杨,吴郁,,
来源：电子科技 年份：2014
传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题，文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器，并在0．18μm工艺下对电......
[期刊论文] 作者：吴郁, 刘晨静, 金锐, 王耀华, 刘钺杨, 温家良,,
来源：高电压技术 年份：2004
由于逆导型IGBT(RC-IGBT)具有尺寸小、功率密度高、成本低等诸多优点,因此引起人们的广泛关注和研究。侧重适用于电网应用的高压器件,回顾了RC-IGBT的技术发展,包括原始结构...
[期刊论文] 作者：董少华,刘钺杨,何延强,王耀华,金锐,温家良,,
来源：智能电网 年份：2016
在电力系统、轨道交通等高压应用领域,绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)一般通过反并联的方式结合,一...
[期刊论文] 作者：何延强,和峰,刘钺杨,吴迪,金锐,温家良,潘艳,,
来源：智能电网 年份：2017
首先介绍电网中所用的快恢复二极管正向浪涌电流测试原理及方法,试验研究器件有源区结构、阳极区杂质补偿及载流子寿命控制方式对正向浪涌电流的影响。测试结果表明采用低阳...
[期刊论文] 作者：屈静,吴郁,刘钺杨,贾云鹏,匡勇,李蕊,苏洪源,,
来源：半导体技术 年份：2015
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ES...
[期刊论文] 作者：苏洪源,胡冬青,刘钺杨,贾云鹏,李蕊,匡勇,屈静,,
来源：半导体技术 年份：2014
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p...
[会议论文] 作者：屈静,周新田,匡勇,苏洪源,李蕊,吴郁,刘钺杨,金锐,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会 年份：2014
动态雪崩问题是影响高压快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)坚固性的一个主要因素.结合现有国内工艺平台,设计了一个具有场屏蔽阳极(field shield anode,FSA)结构的3.3kV功率快恢复二极管.仿真分析表明,与常规结构相比,其具有快恢复与低漏电流特性,且在抗动......
[期刊论文] 作者：和峰,刘钺杨,刘江,李翠,王耀华,晁武杰,金锐,魏晓光,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2022
高压快恢复二极管芯片过渡区是反向恢复坚固性的薄弱点，一旦失效将影响电力装置稳定运行。提出了一种高阻型过渡区优化结构，通过建立三种模拟模型，研究了过渡区宽度和掺杂浓度对快恢复二极管反向恢复性能的影响。采用高阻型过渡区结构的快恢复二极管反向恢复安全工......
[期刊论文] 作者：周新田,吴郁,胡冬青,贾云鹏,张惠惠,穆辛,金锐,刘钺杨,,
来源：半导体技术 年份：2014
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片...
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