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[学位论文] 作者：史良钰,,
来源：哈尔滨理工大学 年份：2009
SIPOS钝化的平面功率晶体管采用半绝缘掺氧多晶硅和二氧化硅的多层表面钝化技术。其中半绝缘掺氧多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon,SIPOS）作为一种新的钝化技术...
[期刊论文] 作者：陈建春,曹一江,王振群,史良钰,,
来源：信息技术 年份：2009
设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路。电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构，提供了较高的增益；第二级采用共源级结构，提高了输出摆幅；采用CMOS开关构成的开......
[期刊论文] 作者：曹一江,王振群,陈建春,史良钰,
来源：哈尔滨理工大学学报 年份：2010
设计了一种适用于采用级间共用运放技术的10bit流水线A/D转换器（ADC）的低功耗全差分运算跨导放大器（OTA）.该放大器由一个改进的折叠共源共栅结构和一个套筒共源共栅结构共同组成,......
[期刊论文] 作者：曹一江,史良钰,王振群,陈建春,刘晓为,,
来源：电子器件 年份：2009
测试半绝缘掺氧多晶硅（SIPOS）层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——“双线击穿”曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反...
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