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[期刊论文] 作者：黄绍春,申钧,周红,叶嗣荣,
来源：半导体光电 年份：2017
提出了一种基于石墨烯纳米条带阵列的光电探测器(GNR-PD)结构, 讨论了器件的解析模型。基于二维泊松方程, 在弱非局域近似条件下建立了GNR-PD的器件模型, 推导了其I-V特性和光响应特性。结果表明, GNR-PD具有极高量子效率和光电增益, 可以获得高达150 A/W以上的......
[期刊论文] 作者：黄绍春, 刘新, 叶嗣荣, 刘小芹,,
来源：半导体光电 年份：2004
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[期刊论文] 作者：叶嗣荣,周勋,李艳炯,申志辉,,
来源：半导体光电 年份：2016
对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高...
[期刊论文] 作者：胡伟,曾庆高,叶嗣荣,杨立峰,,
来源：光子学报 年份：2017
在低压金属有机化学气相沉积生长工艺中,对用于制作850nm垂直腔面发射激光器件的GaAs/Al_xGa_（1-x）As多量子阱外延结构的生长温度、反应室压力、总载气流量以及生长速度等主要...
[期刊论文] 作者：叶嗣荣,肖灿,黄烈云,向勇军,
来源：半导体光电 年份：2005
采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用....
[期刊论文] 作者：江永清,钟强,吴英,叶嗣荣,刘小芹,,
来源：半导体光电 年份：2010
微细厚铜金属互连线不仅具有耐大电流的能力,而且具有低的电阻值,在MEMS领域具有重要的应用。采用分布式涂胶法,通过控制各工艺参数,在PC板衬底上制备了厚的光刻胶掩模图形。...
[期刊论文] 作者：叶嗣荣,刘小芹,赵文伯,周家万,钟强,,
来源：半导体光电 年份：2009
介绍了SiO2/PI1/Al/PI2挡光技术的原理及其制作工艺过程。通过采用SiO2/聚酰亚胺(PI1)/Al/PI2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫外成像。此技术主要应用于日盲型AlGaN紫外焦...
[期刊论文] 作者：申志辉,罗木昌,叶嗣荣,樊 鹏,周 勋,
来源：半导体光电 年份：2019
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器, 重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试, 试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(......
[期刊论文] 作者：李艳炯,赵红,赵文伯,叶嗣荣,杨晓波,
来源：半导体光电 年份：2015
在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放.用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并......
[期刊论文] 作者：黄绍春,江永清,叶嗣荣,郭林红,刘晓芹,赵珊,,
来源：桂林电子科技大学学报 年份：2006
根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的S iO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明,在HF w t%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F w t%的增大而上升;NH4F...
[期刊论文] 作者：叶嗣荣,周家万,刘小芹,钟强,黄绍春,赵文伯,,
来源：半导体光电 年份：2011
对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果...
[期刊论文] 作者：江永清,李应辉,黄烈云,肖灿,叶嗣荣,向勇军,
来源：半导体光电 年份：2005
介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程，以及需要注意的关键技术。...
[期刊论文] 作者：江永清,李应辉,黄烈云,肖灿,叶嗣荣,向勇军,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
本文介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程,以及需要注意的关键技术，由GaN基紫外探测器组成的成像系统体积小，性能可靠，在军事民用两方面都有着独特的优势。......
[期刊论文] 作者：赵文伯, 叶嗣荣, 赵红, 罗木昌, 周勋, 杨晓波, 陈扬,
来源：半导体光电 年份：2004
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分...
[期刊论文] 作者：赵文伯, 叶嗣荣, 赵红, 罗木昌, 周勋, 杨晓波, 陈扬,,
来源：半导体光电 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：黄烈云,吴琼瑶,赵文伯,叶嗣荣,向勇军,刘小芹,黄绍春,,
来源：半导体光电 年份：2007
采用MOCVD方法在双面抛光的（0001）蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能...
[期刊论文] 作者：赵文伯,许华胜,申志辉,叶嗣荣,周勋,李艳炯,黄烈云,,
来源：半导体光电 年份：2014
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基...
[期刊论文] 作者：赵文伯,赵红,叶嗣荣,黄烈云,唐遵烈,罗木昌,杨晓波,廖秀英,向勇军,邹泽亚,,
来源：半导体光电 年份：2009
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3.5 V,-0.5 V偏压时暗电流...
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