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[期刊论文] 作者：李国辉, 阎凤章, 吕贤淑, 苏绍义, 白兴元,,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
一、引言在半导体器件生产中,经常用硼离子注入制作双极电路中晶体管的基区。本文主要论述怎样根据电路对基区要求的结深、方块电阻等参量来选择离子注入的能量、剂量及...
[期刊论文] 作者：李国辉,阎凤章,张通和,张荟星,吕贤淑,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
一、实验方法本实验所使用的材料为P型硅单晶,电阻率p=5-10Ω-cm,选用160keV,150keV,80keV的能量;5×10~(15)-1×10~(1(?))cm~(-2)的剂量;0.5-7μA/cm~2的束流密度;倾斜7°...
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