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[期刊论文] 作者：吴宇鹰,江添洋,孔祥龙,罗成,,
来源：电力电子技术 年份：2017
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了SiC MOSFET的静态特性并考虑了其温度特性,...
[期刊论文] 作者：邓金溢,施科研,吴宇鹰,黄杨涛,徐德鸿,
来源：电源学报 年份：2021
提出了一种零电压开关ZVS(zero-voltage-switching)三相四线制背靠背BTB(back-to-back)变换器拓扑及齐边沿脉宽调制EA-PWM(edge aligned pulse width modulation)方法,辅助开...
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