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[学位论文] 作者：周郁明,,
来源：华中科技大学 年份：2007
RSD(Reserve Switching Dynistor)是新型的高功率半导体器件,是脉冲功率装置的理想开关元件,但目前制约基于RSD开关窄脉冲发生的一些问题亟待解决。本论文就其中的高压RSD开...
[学位论文] 作者：周郁明,,
来源：华中科技大学 年份：2004
钢丝绳是一种应用广泛的挠性构件。但是,经过使用后的钢丝绳中不可避免存在断丝等缺陷,如果不及时发现,往往会带来严重的后果。由于使用中的钢丝绳断裂往往是由少量断丝引发...
[期刊论文] 作者：周郁明,,
来源：安徽工业大学学报(社会科学版) 年份：2015
“半导体工艺”是一门理论与实验结合紧密的课程，通过TCAD虚拟平台开展实验教学，可节约成本、减少实验时间，可增强教学的直观性、提高教学效果，还可激发学生学习兴趣，增强实践、创......
[期刊论文] 作者：周郁明,陈伟伟,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-...
[期刊论文] 作者：周郁明,姜浩楠,
来源：电子器件 年份：2013
设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p＋离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n＋外延层,并将此侧定义...
[期刊论文] 作者：周郁明,何怡刚,,
来源：Journal of Central South University of Technology 年份：2011
在 nanowire 与不同角度和位置描绘的一个新奇谷物边界(GB ) 模型被建立。借助于设备模拟器，有一种卷上的门配置的 ZnO nanowire 联邦货物税(Nanowire 地效果晶体管) 的电的表...
[期刊论文] 作者：周郁明,李勇杰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的...
[期刊论文] 作者：周郁明,陈伟伟,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-...
[期刊论文] 作者：周郁明,姜浩楠,,
来源：电子器件 年份：2013
设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定...
[期刊论文] 作者：陈海刚, 余岳辉, 周郁明,,
来源：通信电源技术 年份：2007
从RSD的结构原理出发,提出了采用可饱和脉冲变压器触发RSD的方案。并结合RSD触发要求,提出了该脉冲变压器设计中需满足的关键因素及设计方法。实验证明,采用可饱和脉冲变压器...
[期刊论文] 作者：李勇杰,陈伟伟,周郁明,,
来源：电源学报 年份：2016
在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅（SiC）MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFE...
[期刊论文] 作者：周郁明,余岳辉,陈海刚,
来源：高电压技术 年份：2007
针对20kV高压反向开关晶体管RSD（Reverse Switching Dynistor）开关的触发问题，提出了一种谐振触发方式。利用电路仿真软件PSpice研究了谐振触发回路参数电容、电感、电阻对RSD预...
[期刊论文] 作者：周郁明,杨晓非,李佐宜,
来源：传感器技术 年份：2004
为了考察钢丝绳断丝产生的漏磁感应强度大小,为磁检测系统中传感器的设计提供依据,采用有限元法计算了钢丝绳断丝产生的漏磁感应强度.结果表明:钢丝绳断丝产生的漏磁感应强度...
[期刊论文] 作者：周郁明,靳爱津,冯德仁,,
来源：电子科技大学学报 年份：2012
利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅（SiC）光导开关（PCSS）在电容放电电路中的瞬态特性．在非故意掺杂氮浓度为1×10^14cm^-3、硼浓度为1×10^11cm^-3和电容初...
[会议论文] 作者：周郁明,余岳辉,陈海刚,
来源：2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会 年份：2006
针对 20kV高压 RSD(Reverse Switching Dynistor)开关的触发问题,提出了一种谐振触发方式.利用电路仿真软件PSpice研究了谐振触发回路参数电容、电感、电阻对 RSD预充电荷量...
[期刊论文] 作者：周郁明,刘航志,杨婷婷,王兵,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2018
建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型.在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏...
[期刊论文] 作者：周郁明,武钰,陈兆权,王兵,
来源：电力电子技术 年份：2020
提出了一种新型的自供电固态断路器,该断路器采用常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)作为主开关,正常工作时无需外加驱动电压,采用无需额外电源供电的自激式反激变换器...
[期刊论文] 作者：周郁明, 刘航志, 杨婷婷, 王兵,,
来源：南京航空航天大学学报 年份：2017
为了更好地评估碳化硅（Silicon carbide,SiC）MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提...
[期刊论文] 作者：梁琳,余岳辉,周郁明,王璐,
来源：天津大学学报：英文版 年份：2008
薄 emitter 结构被介绍进相对地交换的负阻电晶体(RSD ) 改进它的刺激特征。根据刺激状况的分析，薄 emitter 结构能够在刺激过程期间为被触发的血浆层 P 1 减少抽...
[期刊论文] 作者：刘航志,周郁明,袁晨,陈涛,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业...
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