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[期刊论文] 作者：唐发俊,
来源：都市家教：上半月 年份：2011
孩子在学校学习了拼音，到底有什么用处，他们可能还不太清楚，这时教师就要让他们感觉到拼音的用处，让他们在生活中学习并运用拼音。...
[期刊论文] 作者：唐发俊,
来源：四川烹饪 年份：2000
川菜“口袋豆腐”一般有两种制法。一种是将豆腐切成条，入油中炸至是金黄色后捞起，再放入草碱水中浸泡几分钟，这样豆腐条内便胀满浆汁，形似口袋；另一种是将豆腐压成泥，再加入内茸、......
[期刊论文] 作者：徐玉忠,唐发俊,
来源：半导体情报 年份：1997
采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的科技司有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均......
[会议论文] 作者：徐玉忠,唐发俊,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：徐玉忠,唐发俊,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：李杨,薛兵,唐发俊,
来源：天津科技 年份：2020
质量成本包括预防成本、鉴定成本、内部损失成本和外部损失成本等内容,通过数据分析讨论减少硅外延电阻率测试频次的可行性。经分析发现,在LPE3061D外延炉批量生产硅外延片的...
[期刊论文] 作者：徐玉忠,唐发俊,杨连生,
来源：半导体情报 年份：1997
采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的特性有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀......
[期刊论文] 作者：唐发俊, 赵扬, 黄钦, 王楠,,
来源：天津科技 年份：2020
随着半导体产业的快速发展,传统的硅抛光片已不能完全满足半导体器件的需求。硅外延片具有质量高、电学性能优越的特点,在分立器件和IC领域已被广泛应用。硅外延片质量的不断...
[期刊论文] 作者：唐发俊,赵扬,李明达,马丽颖,王楠,
来源：天津科技 年份：2020
随着半导体元器件制造要求的不断提高,对硅外延片的质量要求也不断提高。一方面,为了改善硅外延片的厚度和电阻率均匀性,硅外延炉从多片式逐步转向单片式发展;另一方面,硅外...
[期刊论文] 作者：唐发俊,赵扬,李明达,马丽颖,王楠,
来源：天津科技 年份：2020
应用于半导体产业的硅外延材料,其制造工艺的发展迄今已将近50年。一方面,为了满足硅外延片从小尺寸向大尺寸发展以及材料均匀性要求的不断提高,其制造设备从多片式外延炉向...
[期刊论文] 作者：梁芮,陈国新,黄钦,王楠,唐发俊,张志佳,卢焕明,康建立,
来源：电子显微学报 年份：2021
本文利用透射电子显微镜原位加热技术研究了高温下SiOx材料的结构演化行为,并通过EELS谱分析了SiOx材料结构的化学组成变化。研究结果表明:在高温作用下,电子束辐照对SiOx材料的相分离过程起到了促进作用;高密度电子束辐照是SiOx材料中产生孔状结构的主要原因;S......
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