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[学位论文] 作者：夭雪,,
来源：西安电子科技大学 年份：2010
宽禁带半导体材料SiC因其禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、反向恢复特性好等优异特性,成为继Si、GaAs之后的新一代半导体材料。由SiC材料制造的二极管(SiC SBD)可以在高温...
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