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[学位论文] 作者：奚光平,,
来源： 年份：2008
重掺砷直拉硅片被广泛地用于外延硅片的衬底,而外延硅片的内吸杂能力取决于衬底硅片的氧沉淀,因此研究重掺砷直拉硅片的氧沉淀行为具有重要的实际意义。到目前为止,关于重掺...
[会议论文] 作者：马向阳, 曾俞衡, 奚光平, 王彪, 朱伟江, 杨德仁,,
来源： 年份：2009
重掺N型(N+)直拉硅单晶包括重掺磷、砷和锑三种,它们通常用作结构为N/N+的硅外延片的衬底。这种类型的硅外延片在集成电路和功率半导体器件中都有广泛的应用。与轻...
[期刊论文] 作者：奚光平,马向阳,田达晰,曾俞衡,宫龙飞,杨德仁,,
来源：物理学报 年份：2008
通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重...
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