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[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,
来源：微电子学 年份：2004
基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是：考虑了背景电荷的影响，可由实际物理参数直接获得，支持双栅极工作，便于逻辑电路的分析。研究......
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,
来源：电子器件 年份：2005
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构.该全加器优点为:简化了"P-SET"逻辑块;通过选取一组参数使输入和...
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,
来源：微电子学 年份：2004
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学算法改进模型.该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析....
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,陈学军,
来源：微电子学与计算机 年份：2003
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型.该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用.I-V特性和跨导仿真结果证实了它的...
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,陈学军,
来源：空军工程大学学报(自然科学版) 年份：2003
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型.该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成.与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体...
[期刊论文] 作者：陈学军,蔡理,孙铁署,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
研究了单电子晶体管(Single electrontransistor,SET)Ⅰ-Ⅴ特性的一种简化分析方法,在此基础上设计了SET积分器,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点.仿真结...
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,陈学军,
来源：河北工程技术高等专科学校学报 年份：2003
基于传统单电子理论,阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用.给出了三种仿真方法的具体实现过程:解主方程方法、蒙特卡洛方法和Spice宏模型方法,并分析了各自的优缺点....
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,马彦芬,,
来源：电路与系统学报 年份：2006
基于互补型单电子晶体管（SET）逻辑门，提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上，由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE......
[期刊论文] 作者：孙铁署,蔡理,马彦芬,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2004
基于单电子晶体管(SET)的I-U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R-S触发器,最终得出了D触...
[期刊论文] 作者：马彦芬,杨晓光,孙铁署,,
来源：河北大学学报(自然科学版) 年份：2009
基于单电子晶体管（SET）数学分析模型，改进了它的SPICE宏模型．该模型考虑了背景电荷的影响，由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成．与准分析模型相比较，该模型准确地表现了SET......
[期刊论文] 作者：马彦芬,孙铁署,郝国芬,
来源：河北工程技术高等专科学校学报 年份：2004
基于跨导线性原理,提出了一种应用Marr小波进行模拟变换的硬件实现方法.所设计的电路可实现小波窗函数的产生、逼近和二次微分.SPICE仿真结果表明,电路可产生良好的Gauss窗函...
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