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[期刊论文] 作者：刘开敏,孟祖祥,
来源：半导体技术 年份：1982
本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD Si的自由载流子浓度和迁移率的等时退火曲线...
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