【摘 要】
：
本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD Si的自由载流子浓度和迁移率的等时退火曲线
论文部分内容阅读
本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD Si的自由载流子浓度和迁移率的等时退火曲线和各种特征温度,并对实验结果作了简要讨论。
In this work, the influence of different original monocrystalline silicon and doping temperature on the recovery of electrical properties of NTD Si during high temperature annealing was investigated by Hall-coefficient-resistivity measurement. In this paper, the isochronal annealing curves and various characteristic temperatures of free-charge carriers and mobilities of several NTD Si are given and the experimental results are briefly discussed.
其他文献
随着高校课改工作的飞速发展,我们已经能清晰的看到大学语文的教学工作严重滞后,课程安排靠后、任课教师分配靠后、语文选课排名靠后,学生逃课情况较多、考试的及格率较低等
从信息产业部权威咨询机构了解到,2000年我国国产台式PC占中国市场的主导地位,市场占有率达到79.6％;从科技部召开的“863计划国产服务器项目及产业化基地汇报会”了解到,浪潮
<正> 该专利涉及一种制备高纯度甲基丙烯酸的方法,包括以下步骤:（1）气相氧化C4,得到含甲基丙烯酸的气相产物;（2）将该气相产物冷凝,得到甲基丙烯酸水溶液;（3）从上述
全国计算机等级考试是由教育部考试中心举办,用于测试应试人员计算机应用知识与能力的等级水平考试。该考核面向社会,服务于劳动力市场,为人员择业,人才流动提供其计算机应
过去广泛地研究过用二氧化硅作掩蔽的硅选择性外延生长,但二氧化硅在氢气中易性能劣化,在硅选择性外延时二氧化硅要挥发,用氮化硅作掩蔽的选择外延可以避免这些问题。选择性
本文给出一个1K×4 NMOS SRAM的设计.存贮单元采用离子注入掺杂的高阻多晶硅电阻器作负载,外围选用E/D型逻辑电路,采用5μ设计规则. 电路中有增强型、耗尽型、“零”开启三种
新型台式电脑在不断推动系统性能的发展,使之一再突破局限。在当今微处理器速度更快,文件容量更大,硬盘驱动器生产商们也开始设计能够以前所未有的高速度传送大量数据的高性
实达 SL3020K+行业打印SL3020K+是实达电脑公司针对行业用户实际需求所推出的一款 A3幅面的业务激光打印机。SL3020K+采用电子激光照像技术,每分钟可打印20页,内存可扩展到8
艾瑞纳制药有限公司宣布,其治疗肺动脉高压病新药ralinepag已开始Ⅱ期临床评价试验的剂量调整阶段。Ⅱ期临床试验是22周的随机、双盲、安慰剂对照,评价此药对60名肺动脉高压
新课程体育标准倡导课堂上不仅要使学生获得知识,而且要使学生在学习过程中获得兴趣,满足学生的生理需求和精神需要。这就要求体育老师在教材内容安排、课的组织形式、教法手