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[会议论文] 作者：崔江维[1]余学峰[2]刘刚[3]李茂顺[1]高博[1]兰博[1]赵云[1]费武雄[1]陈睿[1],
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质...
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