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[期刊论文] 作者：薛成山,庄惠照,
来源：微电子技术 年份：1996
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[期刊论文] 作者：庄惠照,薛成山,
来源：山东师范大学学报：自然科学版 年份：1992
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[期刊论文] 作者：庄惠照,薛成山,
来源：山东电子 年份：1995
本文就大台面高电压，大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上阐述了钝化机理，系统介绍了台面造型。玻璃涂复、熔烧等工作途径，并给出了研究结果。...
[期刊论文] 作者：崔福良,庄惠照,
来源：山东师范大学学报：自然科学版 年份：2000
对金属颗粒与氧化物半导体颗粒膜的超顺磁特性用Ｌａｎｇｅｖｉｎ函数进行了拟和，理论与实验结果符合的较好，同时分析了样品的磁矩随退火温度的变化关系。...
[期刊论文] 作者：安霞,庄惠照,等,
来源：微纳电子技术 年份：2002
用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备出了纳米碳化硅薄膜，并研究了退火温度对薄膜的影响。用傅里叶红外透射谱（FTIR）、x射线衍射（XRD）、x光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）对薄膜样......
[期刊论文] 作者：安霞,庄惠照,等,
来源：微纳电子技术 年份：2002
用射频磁控溅射法在石英片上溅射SiC膜，然后在氮气气氛下1150℃退火3h后，在石英衬底上生长出SiC纳米线。用x射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和x光电子能谱（XPS）对样品进行了结构、形貌......
[会议论文] 作者：熊光英,庄惠照,
来源：中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：曹文田,王显明,庄惠照,
来源：山东师大学报(自然科学版) 年份：1995
使用光电耦合器件（简称ＣＣＤ），采用数学付立叶分析法建立了测量光学系统传递函数的计算机测量装置，并对多种影响测量结果准确度的因素进行了分析和修正，测量照相机物镜的光学传递函数的......
[期刊论文] 作者：王书运,庄惠照,高海永,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2006
利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明，利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤......
[期刊论文] 作者：王书运,庄惠照,高海永,
来源：理化检验：物理分册 年份：2005
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用...
[期刊论文] 作者：安霞,庄惠照,薛成山,杨利,
来源：微纳电子技术 年份：2002
用射频磁控溅射法在石英片上溅射SiC膜,然后在氮气气氛下1150℃退火3h后,在石英衬底上生长出SiC纳米线。用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和x光电子能谱(XPS)对样品进行了结...
[期刊论文] 作者：薛守斌,张兴,庄惠照,薛成山,,
来源：德州学院学报 年份：2008
采用在石英炉中，氨化Ga2O3薄膜的方法，在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD，Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR，TENSOR27）、扫......
[期刊论文] 作者：庄惠照,胡丽君,薛成山,薛守斌,,
来源：功能材料 年份：2008
采用磁控溅射的方法在Si（111）衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜，并通过氨化的方法在Si（111）衬底上获得了GaN纳米结构材料，研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行......
[期刊论文] 作者：李保理,庄惠照,薛成山,张士英,
来源：功能材料 年份：2008
采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）、透......
[期刊论文] 作者：张士英,庄惠照,薛成山,李保理,,
来源：功能材料 年份：2008
利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射Mo中间层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β—Ga2O3。X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明，制备......
[期刊论文] 作者：何建廷,庄惠照,薛成山,王书运,
来源：电子元件与材料 年份：2005
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm-1附近出现了对应Zn-O...
[期刊论文] 作者：庄惠照,薛成山,高大江,王显明,李蓉,
来源：山东师大学报(自然科学版) 年份：1996
提出了台面造型的新方法，实现了在大台面、高电压、大电流晶闸管上采用玻璃钝化技术新的工艺途径。...
[期刊论文] 作者：庄惠照,高海永,薛成山,董志华,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变...
[期刊论文] 作者：李怀祥,薛成山,庄惠照,曹文田,
来源：Rare Metals 年份：2000
1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｎｉｃｋｅｌｈｙｄｒｏｘｉｄｅｈａｖｅｂｅｅｎｓｔｕｄｉｅｄｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙｄｕｅｔｏｉｔｓｉｍｐｏｒｔａｎｃｅａｓａｃｔｉｖｅｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｎｉｃｋｅｌｂａｔｔｅｒｙｓｙｓ ｔｅｍｓ[1 ].Ａｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｏｆｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｍｅｔａｌｌｉｃａｄｄｉｔｉｖｅｓａｎｄｉｍｐｕｒｉ ｔｉｅｓｏｎｔｈｅｎｉｃｋｅｌｈｙｄｒｏｘｉｄｅｅｌｅｃｔ......
[期刊论文] 作者：刘秀喜,薛成山,孙瑛,王显明,庄惠照,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶闸管生产线工艺论证及应用，能明显地减小漏电......
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