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[学位论文] 作者：康香宁,
来源：西北大学 年份：2000
该文从光电发射效应的"三步"理论出发, 讨论了硬X射线光子的特点,高能粒子产生二次电子发射的现象,俄歇效应等.着眼于如何能大幅度提高二次电子和俄歇电子的产生和逸出,在此...
[期刊论文] 作者：康香宁,高耀龙,
来源：应用光学 年份：2000
分析Ｘ射线光电效应的特点，讨论俄歇电子和二次发射电子的产生机理。从“自由原子”模型出发，在理论上探讨Ｘ射线光电发射的原理，建立Ｘ射线光电发射的初步理论模型，讨论影响Ｘ躬一光电发......
[期刊论文] 作者：康香宁,陈良惠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了...
[期刊论文] 作者：康香宁,高耀龙,侯洵,
来源：应用光学 年份：2000
分析 X射线光电效应的特点 ,讨论俄歇电子和二次发射电子的产生机理。从“自由原子”模型出发 ,在理论上探讨 X射线光电发射的原理 ,建立 X射线光电发射的初步理论模型 ,讨论...
[会议论文] 作者：康香宁;宋国峰;陈良惠;,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
本文介绍了一种用于高密度近场光存储领域的新型微小孔径激光器(VSAL),优化设计了出光腔面介质和金属组成的混合膜系,保证在激射波长处小孔有较强的透过率,同时小孔周围又对...
[会议论文] 作者：章蓓,康香宁,代涛,包魁,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术；运用电注入器件的显微电致发光以及扫描近场光学,探索了这些光子晶格结构对发光器件......
[期刊论文] 作者：康香宁,宋国峰,孙永伟,陈良惠,
来源：光子学报 年份：2003
利用时域有限差分法(FDTD)计算和分析了极小孔半导体激光器输出光端面附近的光场分布,指出小孔激光器近场区域光场分布的特点,讨论了小孔大小和金属厚度对光场分布和光源分辨...
[会议论文] 作者：宋国峰,康香宁,孙永伟,陈良惠,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
本文介绍了一种基于微小孔径激光器的近场光存储器的方案设计及这种新型微小孔径激光器(VSAL)的设计和研制方法,利用FDTD方法对微小孔径激光器和基于微小孔径激光器的近场光存储器进行了模拟仿真,计算和分析了极小孔半导体激光器光端面的光场分布,描述了小孔激......
[会议论文] 作者：付星星;康香宁;章蓓;熊畅;张国义;,
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
针对GaN基发光二极管(GaN基LED)出光效率低下的问题,利用光子晶体的衍射效应来提取GaN基LEDs内的导波模式是提高其出光效率的一种有效方法.为了获得最大的出光效率,对光...
[会议论文] 作者：康香宁,叶晓军,高俊华,陈良惠,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧化层和分布布拉格反射镜中的高铝组分层的氧化特性和掺杂对氧化速率的影响进行了详细研究,结合结构设计优化了工艺条件,降低了氧化......
[期刊论文] 作者：康香宁,徐云,宋国峰,叶晓军,陈良惠,
来源：半导体学报 年份：2003
报道了一种窗口型的用于高分辨率近场光学存储领域的极小孔激光器。这种窗口结构的引入解决了出射端面处由于金属膜的存在而导致的pn结短路问题，同时一定程度上抑制了激光器腔......
[期刊论文] 作者：康香宁,宋国峰,叶晓军,侯识华,陈良惠,
来源：半导体学报 年份：2004
针对可见光垂直腔面发射激光器的制备，通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响，结合器件结构设计确......
[期刊论文] 作者：贾玉斌,陈良惠,李玉璋,叶晓军,康香宁,
来源：光学技术 年份：2002
对微机械光开关的特点和应用作了简要的论述 ,并对近年国外几种典型微机械光开关的结构、原理和研制方法作了简要的介绍和评述。这类新型的开关器件的主要优点是串话小 ,插入...
[期刊论文] 作者：康香宁,宋国峰,孙永伟,叶晓军,陈良惠,
来源：光学技术 年份：2003
介绍了一种用于高密度近场存储领域的新型微小孔径激光器(VSAL)。为了解决由腔面金属膜造成的激光器PN结短路的问题,在激光器中引入了窗口隔离区,不仅降低了器件制备的难度,...
[期刊论文] 作者：章蓓,代涛,魏伟,康香宁,张国义,Simeon Trieu,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2008
We present a grating model of two-dimensional(2D)rigorous coupled wave analysis(RCWA)to study top diffraction gratings on light-emitting diodes(LEDs).We compare...
[会议论文] 作者：孙永健;张国义;陈志忠;于彤军;康香宁;,
来源：海峡两岸第十六届照明科技与营销研讨会 年份：2009
自从1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管(LED)以来，使LED发出全部颜色可见光的努力就没有停止过。AlGaInP材料制成的LED可以覆盖从红光(650nm...
[期刊论文] 作者：XiaominJin,章蓓,代涛,魏伟,康香宁,张国义,SimeonTrieu,FeiWang,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2008
We present a grating model of two-dimensional (2D) rigorous coupled wave analysis (RCWA) to study top diffraction gratings on light-emitting diodes (LEDs). We compare the integrated-transmission of the non-grating, rectangular-grating, and ......
[期刊论文] 作者：康香宁, 章蓓, 胡成余, 王琦, 陈志忠, 张国义,,
来源：发光学报 年份：2006
根据光学薄膜原理计算了GaN／Ti／Ag、GaN／Al和GaN／Ni／Au／Ti／Ag、GaN／Ni／Au／Al多层电极结构的反射率，得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明，反射率能......
[期刊论文] 作者：包魁,章蓓,代涛,康香宁,陈志忠,王志敏,陈勇,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
为进一步提高GaN基发光二极管的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管(LED)提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术......
[会议论文] 作者：康香宁;魏伟;易业文;方浩;代涛;章蓓;张国义;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
结合制备功率型GaN基发光二极管(LED)的具体要求,为提高GaN基LED的出光效率提供切实可行的技术方案,通过激光剥离技术(LLO)获得了具有N极性面的GaN材料,利用KOH溶液和反应离...
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