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[期刊论文] 作者：张伟或,
来源：电子材料（机电部） 年份：1991
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[期刊论文] 作者：张伟或,,
来源：材料导报 年份：1988
前言当今世界已进入信息时代,就象万花筒一样,变化万千,光彩夺目。材料、能源、信息是当代社会发展的三大技术支柱。半导体材料是信息社会中高技术领域的重要组成部分,它广...
[期刊论文] 作者：张伟或,
来源：稀有金属 年份：1978
本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、工艺、放射性、损伤产生机理、退火处理、材料性能和应用。指出这种掺杂方法所获...
[期刊论文] 作者：张伟或,
来源：有色冶炼 年份：1985
在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的...
[期刊论文] 作者：张伟或,张洪川,
来源：稀有金属 年份：1984
本文根据半导体硅材料工艺的发展动向,系统地评述了磁场中CZ硅单晶生长的原理、设备、工艺和应用等。指出这一新工艺能有效地抑制熔融硅的热对流和温度波动。用本方法生长的...
[期刊论文] 作者：张洪川,张伟或,
来源：半导体杂志 年份：1990
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