【摘 要】
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在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的
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在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的发展动向,本文将分别加以讨论。
In the field of semiconductor silicon growth, in addition to the conventional CZ and FZ, magnetic field pull-out (MCZ), neutron transmutation doping (NTD) and continuous liquid feeding Czochralski (CLF-CZ) and some other new methods. The recent development of these methods, this article will be discussed separately.
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The optimum conditio