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[期刊论文] 作者：张友渝,
来源：半导体学报 年份：1980
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外...
[期刊论文] 作者：张友渝,,
来源：天然气工业 年份：1985
石油工业部压力容器设计单位资格审查小组,于1984年10月27日～11月4日对四川石油勘察规划设计院进行了压力容器设计资格复查工作,于1984年12月14日经石油工业部批准,1985年1月...
[期刊论文] 作者：C.P.Lee,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
已经研究了在GaAs MESFET漏极上设置的p型区的作用。从这个p型区注入的空穴,补偿了沟道-衬底界面空间电荷区中的负电荷,因而将不希望存在的衬底效应减至最小。与标准的n型漏...
[期刊论文] 作者：C.Hurtes,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
采用 Ga/AsCl_3/H_2汽相外延在掺杂半绝缘衬底上生长 FET 的缓冲层。用霍耳、光霍尔、阴极荧光以及新的深能级瞬态电流法(DLTS)研究了缓冲层的双层结构。此双层结构由上层的...
[期刊论文] 作者：H.Fukui,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文描述了一种确定砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)有源沟道基本性质的新方法。有效栅长、沟道厚度以及载流子浓度是根据器件直流参数确定的。给出了测量直流参...
[期刊论文] 作者：P.A.Blakey,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1981
一、引言本文叙述采用微处理机或高级的可编程序计算器,使众所周知的 C(V)剖面测定法提高精度、扩大用途和方便使用的方法。建立此方法以帮助表征高效率的 GaAsIMPATT,而且...
[期刊论文] 作者：张友渝,程兆年,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出一种原位测定ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法。建立了测试模型。推导出测量计算公式。用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统系统和计算程序可方便地获......
[期刊论文] 作者：Chen.,CL,张友渝,
来源：半导体情报 年份：1989
业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反...
[期刊论文] 作者：张友渝,江泽流,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻流，提高了Ｓｐｉｎｄｔ型场发射冷阴极阵列的发射均匀性。...
[期刊论文] 作者：王云生,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1982
本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测定迁移率的计算公式。给出了典型器件有源层...
[期刊论文] 作者：Chen,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1989
业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反...
[期刊论文] 作者：Chi,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1988
业已用成品率极高的平面离子注入和全反应离子腐蚀(RIE)工艺制作了一个高性能X波段单片功率放大器。采用RIE/WET(反应离子腐蚀/湿法腐蚀)工艺制成独特的栅凹槽腐蚀剖面,改进...
[期刊论文] 作者：程兆年,杨悦非,张友渝,
来源：半导体学报 年份：1986
提出了由实测数据采用最优化分析技术给出 GaAs MESFET串联电阻的新方法.在数据处理中,考虑了部份沟道电阻贡献与栅电流有关.使用本方法计算程序的机助测试系统可迅速正确地...
[期刊论文] 作者：张友渝,程兆年,张俊岳,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果．This......
[期刊论文] 作者：何金田,李运钧,姚宁,王建恩,张兵临,张友渝,
来源：半导体技术 年份：1996
用微波方法在钼衬底上沉积出金刚石镶嵌非晶碳薄膜，对其场致电子发射特性和机理进行了研究，使该薄膜的场致发射电子激光发荧光屏，并观察到发光。...
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