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[期刊论文] 作者：王健,张甫龙,
来源：半导体学报 年份：1992
采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强...
[期刊论文] 作者：王健,张甫龙,
来源：光学学报 年份：1993
最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具...
[期刊论文] 作者：李谷波,张甫龙,
来源：四川工业学院学报 年份：2000
对多孔硅进行“胺液浸泡＋快速热氧化”处理，光致发光谱显示，经处理样品的发光峰值波长短到５００ｎｍ，而且在干燥空气中存放１６０ｄ后，发光强度变化很小。红外吸收谱表明，处理后的多孔硅的主要成分是......
[期刊论文] 作者：张甫龙,郝平海,等,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后，当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时，观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显...
[期刊论文] 作者：范洪雷,侯晓远,李喆深,张甫龙,俞鸣人,王迅,
来源：半导体学报 年份：1995
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、......
[期刊论文] 作者：李谷波,张甫龙,范洪雷,陈华杰,俞鸣人,侯晓远,
来源：四川工业学院学报 年份：2000
对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,...
[期刊论文] 作者：张甫龙,郝平海,史刚,侯晓远,丁训民,黄大鸣,王迅,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm~2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明...
[期刊论文] 作者：王健,蒋红兵,王文澄,郑家骠,张甫龙,郝平海,侯晓远,王迅,
来源：半导体学报 年份：1992
采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强...
[期刊论文] 作者：王健,蒋红兵,王文澄,郑家骠,张甫龙,郝平海,候晓远,王迅,
来源：光学学报 年份：1993
最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎......
[期刊论文] 作者：陈溪滢,曹华,徐前江,王杰,朱炜,曹先安,张甫龙,丁训民,侯晓远,陆明,
来源：半导体学报 年份：1996
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的......
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