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[期刊论文] 作者：徐冬良,
来源：半导体技术 年份：1993
本文根据１９９２年ＳＥＭＩ国际会议和在旧金山举行的国际半导体设备和材料展览会上了解的情况，对目前硅片、多晶硅、ＳＯＩ和硅片技术标准规范的水平和发展趋势作了介绍。...
[期刊论文] 作者：徐冬良,
来源：中国兵工 年份：1997
落实党组扩大会议精神解放思想坚定信念全力推进和打好“三大攻坚战”●本刊特约记者徐冬良１９９７年７月１１日～１３日，总公司在北京召开了党组扩大会议。会议学习了江泽民总书记在中央党校省部......
[期刊论文] 作者：徐冬良,汪洋,
来源：国防 年份：2015
白城市位于吉林省西北部、科尔沁草原东端,黑龙江、吉林、内蒙古三省（自治区）交界处,素有＂八百里瀚海＂之称。近年来,中共白城市委、市政府和军分区紧盯强军目标,坚持军地合力抓建......
[期刊论文] 作者：徐冬良,吴道荣,
来源：稀有金属 年份：1990
消除氧化雾缺陷是提高单晶硅片质量的关键之一。氧化雾缺陷是由重金属杂质引起的,它的危害在于它能导致氧化层错,使器件成品率下降。消除氧化雾缺陷主要有以下两方面措...
[期刊论文] 作者：徐冬良,郭如芳,
来源：稀有金属 年份：1985
本工作对 P、N 型,〈100〉和〈111〉晶向的直拉硅单晶进行热氧化—化学腐蚀处理。对氧化时间、氧化气氛和腐蚀深度等条件进行了条件试验。对检测对象进行了重点讨论。In th...
[期刊论文] 作者：李占民,徐冬良,
来源：中国兵工 年份：1994
对兵器工业深化改革的几点意见李占民，徐冬良兵器工业当前面临的问题很多，但从这几年的工作实践看，最突出的问题还是旧的体制已经打破，而新的体制又没有相应地建立起来。如何解决......
[期刊论文] 作者：阙端麟,陈修治,徐冬良,
来源：电子学报 年份：1995
本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。...
[期刊论文] 作者：徐冬良,吴道荣,过惠芬,
来源：稀有金属 年份：1990
消除氧化雾缺陷是提高单晶硅片质量的关键之一。氧化雾缺陷是由重金属杂质引起的,它的危害在于它能导致氧化层错,使器件成品率下降。消除氧化雾缺陷主要有以下两方面措施:1....
[期刊论文] 作者：余思明,周福生,徐冬良,张烈华,,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1989
本文用化学腐蚀和透射电镜及其能谱分析研究了重掺Sb硅单晶中的氧沉淀。化学腐蚀结果表明,Sb的掺入有促进形核的作用,但其最大成核速率仍在750℃左右。随着退火时间的延长,沉...
[期刊论文] 作者：徐冬良,郭如芳,李吉海,谭玉华,余斌,燕朝林,
来源：稀有金属 年份：1984
一、前言 在热氧化后的硅片上,经常出现密集分布的雾缺陷。在器件工艺中,雾缺陷的存在将严重影响器件工艺的成品率,所以很久以来硅片上的雾缺陷一直引起人们的极大注意,...
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