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[期刊论文] 作者:徐洪起,
来源:山东交通科技 年份:2000
分析路基翻浆的原因,提出在路基设计与施工阶段的预防性措施...
[会议论文] 作者:徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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[期刊论文] 作者:徐洪起,周阳忠,
来源:山东交通科技 年份:2005
结合青州市309线青州至淄博段9.9km挖补罩面工程的施工情况,论述了MAC改性沥青在罩面工程的应用....
[期刊论文] 作者:吴海延,徐洪起,,
来源:决策探索 年份:2001
柳树店乡地处河南省固始县中部,系平原、湾畈区,是个典型人多地少的农业乡.近几年来,随着市场经济的转轨,全乡以市场需求为导向,以经济效益为中心,以优化品种结构、改善经营...
[会议论文] 作者:黄少云,徐洪起,Koji Ishibashi,
来源:第十四届全国青年材料科学技术研讨会 年份:2013
以化学气相沉积方法制备的四族半导体硅(锗)纳米线具有小于数十纳米的直径,大于数微米的长度,原子层级平滑的界面,是传统的至上而下的微加工工艺所不能制备的,而自组装技术使......
[会议论文] 作者:李侃,王晶云,邢英杰,徐洪起,
来源:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份:2015
GaAs是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0),所以经常被用于红外探测器、发光二极管,微波器件、高速器件等研究领域.对于GaAs材料的......
[会议论文] 作者:唐涛;潘华勇;邢英杰;徐洪起;,
来源:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份:2015
MoO3是一种间接宽带隙氧化物材料(>3ev),由于其独特的结构、优异的光学性质和良好的稳定性,MoO3在很多领域都很有应用前景,例如可用于制作紫外光电子器件、有机太阳能电池中的...
[会议论文] 作者:李明,王晶云,李侃,邢英杰,徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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[会议论文] 作者:张秋筠,洪艳雪,邢英杰,徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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[会议论文] 作者:潘伟,黄少云,P.Caroff,李侃,徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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[会议论文] 作者:王积银,黄少云,潘东,赵建华,徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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[期刊论文] 作者:李森,黄光耀,郭景琨,康宁,Philippe Caroff,徐洪起,,
来源:Chinese Physics B 年份:2017
An experimental realization of a ballistic superconductor proximitized semiconductor nanowire device is a necessary step towards engineering topological quantum...
[期刊论文] 作者:敬玉梅,黄少云,吴金雄,彭海琳,徐洪起,
来源:物理学报 年份:2018
利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反...
[会议论文] 作者:黄少云,王积银,潘伟,P.Caroff,潘东,赵建华,徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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[会议论文] 作者:敬玉梅,吴金雄,彭海琳,黄少云,徐洪起,
来源:第二十届全国半导体物理学术会议 年份:2015
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