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[学位论文] 作者：戴显英,,
来源： 年份：2012
硅基应变材料及其技术具有迁移率增强高、能带可裁减、与标准Si工艺完全兼容等高性能、低成本特性，在高速、高频、低压、低功耗等领域被广泛应用，已成为21世纪延续摩尔定律的关......
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,戴显英,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真...
[期刊论文] 作者：戴显英,张鹤鸣,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1998
ＶＤＭＯＳ的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响，笔者设计和制造了３种体内结构与常规ＶＤＭＯＳ相同，而表面结构不同的器件。实验结果表明，这种３结构器件的开关时间都明显减少。......
[期刊论文] 作者：戴显英,张鹤鸣,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1998
提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构－－耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性。...
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2000
模拟分析了 MCT关断失效机理 ,并进行了实验验证 .结果表明 ,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中 ,从而造成 MCT的关断失效...
[会议论文] 作者：张鹤鸣,戴显英,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：张鹤鸣,戴显英,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT），在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭，结构中不存在任何的寄生器件，因此，消除了在其它结构的栅控晶......
[会议论文] 作者：马何平,戴显英,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了一种SiGeHBT双基极偏置的线性低噪声放大器,这种放大器可以在不降低噪声系数的情况下提高电路的1dB压缩点.在小信号区域,传统的基极偏置电路为放大管的基极提供偏...
[期刊论文] 作者：舒斌, 戴显英, 张鹤鸣,,
来源：物理学报 年份：2004
利用应变SiGe Si异质pn结电容 电压 (C V)特性确定SiGe禁带宽度的技术 .该技术根据SiGe Si异质pn结C V实验曲线 ,计算出pn结接触电势差 ,并得到SiGe Si的价带偏移量和导带偏...
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,李跃进,戴显英,
来源：电子学报 年份：1998
为减小VDMOS的反向传输电容，设计了三种体内结构与常现VDMOS相同而表面结构不同的器件实验结果表明，三种结构器件的反向传输电容与常规VDMOS相比都有较大幅度的降低，在Vds＝10V时，......
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2001
利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准，采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管，器件直流电流增益大于20，......
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2001
采用标准的湿法刻工艺研制出了S波段工作的非 自对准AlGaAs/GaAs异质结构双极晶体管。对于总面积为8×2um×10um的HBT器件，测得其直流电流增益大于10，电流增益截止频...
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2001
建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型。理论分析了发射极－基极－发射极布局的PNP型HBT的电流增益。讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触......
[期刊论文] 作者：戴显英,李金龙,郝跃,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2014
应用胡克定律，建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿〈001〉、〈110〉和〈111〉方向的应变张量模型．根据线性形变势能理论，计算了单轴应力沿〈001〉、〈110〉和〈111〉...
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,严北平,戴显英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元件电路模型。...
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,戴显英,王伟,
来源：半导体学报 年份：2000
模拟分析了 MCT关断失效机理 ,并进行了实验验证 .结果表明 ,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中 ,从而造成 MCT的关断失效The me...
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：电子学报 年份：2000
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电...
[会议论文] 作者：王伟,戴显英,张鹤鸣,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
为了能准确简便地确定应变SiGe材料的掺杂浓度,本文在研究应变SiGe材料迁移率模型的基础上,采用MATLAB编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下N型与P型应变SiGe材料掺杂浓度...
[期刊论文] 作者：戴显英,张鹤鸣,王伟,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1998
提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性．A new closed gate structure of MOS gate thyristor, a depletion-type...
[期刊论文] 作者：戴显英,吉瑶,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
According to the dimer theory on semiconductor surface and chemical vapor deposition(CVD) growth characteristics of Si1-xGex, two mechanisms of rate decompositi...
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