改善栅控晶闸管关断特性的一种新结构

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：skyboat521

【摘要】

：

提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性． A new closed gate structure of MOS gate thyristor, a depletion-type

【作者】

：

戴显英张鹤鸣王伟

【机构】

：

西安电子科技大学微电子所

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

1998年02期

【关键词】

：

晶闸管均匀性漂移区元胞栅压正向特性载流子复合基区表面电场正向压降

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提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性． A new closed gate structure of MOS gate thyristor, a depletion-type MOS gate, is proposed to effectively improve the non-uniformity of the turn-off of cells in the multi-cell device.

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