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[学位论文] 作者：房迅雷,,
来源：南京理工大学 年份：2005
微波立体组装技术主要研究如何实现在传统二维平面微波电路的基础上,将二维微波电路叠装起来,利用平面电路的底面和侧面边缘在垂直方向互连,从而形成三维高密度微波电路系统...
[会议论文] 作者：薛羽,房迅雷,
来源：全国第六届装联学术交流会 年份：1999
该文详细分析了Ｘ波段ＨＭＩＣ ＰＩＮ二极管数字式四位移相器由于制造工艺引入的相位误差，从面提出了制造工艺控制方法，并在该基础上提出了适于制造工艺的容差方案。...
[会议论文] 作者：刘刚,房迅雷,
来源：第十七届全国混合集成电路学术会议 年份：2011
随着有源相控阵雷达技术的发展，T/R组件需求量越来越大。T/R组件，特别是P、L、S、C等低频段的T/R组件，为了集成化、高可靠性在设计中越来越多地采用外购混合集成电路模块，因......
[会议论文] 作者：房迅雷,王听岳,
来源：中国电子学会现代设计与先进制造技术学术会议 年份：2001
结合微波电路概念,研究了平面电桥薄膜制作、接地焊接、金丝键合等制造技术,提供了设计和工艺相互融合的成功经验....
[会议论文] 作者：谢昶,房迅雷,邹军,
来源：2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2004
本文介绍了使用电阻衰减网络和PIN二极管作为开关设计数字衰减器的实例.借助Angilent公司的Advanced Design System软件,设计出性能优异的L波段(1.0~1.5GHz)七位数字衰减器,...
[期刊论文] 作者：严伟,禹胜林,房迅雷,
来源：电子学报 年份：2005
低温共烧陶瓷(LTCC)技术和三维立体组装技术是实现微波组件小型化、轻量化、高性能和高可靠的有效手段.本文研究实现了基于LTCC技术的三维集成微波组件,对三维集成微波组件的...
[期刊论文] 作者：谢廉忠,严伟,房迅雷,,
来源：现代雷达 年份：2015
低温共烧陶瓷(LTCC)技术可以实现真正意义上的三维微波互连基板,已经成为实现机载、星载、舰载相控阵雷达收/发组件小型化、轻量化、高性能、高可靠和低成本的理想方法之一。...
[期刊论文] 作者：房迅雷,姜伟卓,严伟,
来源：现代雷达 年份：2004
探讨了红外热像技术在微波多芯片组件(MMCM)中的应用,重点描述了其中微波功率芯片、调制芯片和小信号微波放大器芯片组装和互连的热设计、过热点控制、故障诊断以及工艺改进...
[期刊论文] 作者：谢廉忠,严伟,房迅雷,
来源：电子机械工程 年份：2015
低温共烧陶瓷（LTCC）技术是实现机载、星载、舰载相控阵雷达收/发组件小型化、轻量化、高性能、高可靠的有效手段.由于技术落后,国内缺少商品化的微波LTCC材料,严重制约了LTCC技...
[会议论文] 作者：房迅雷,严伟,禹胜林,
来源：2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2004
本文对在三维集成微波电路中形成三维结构的关键技术——垂直微波互联技术进行了研究和试验.讨论了实现垂直微波互联的技术途径、电路结构和工艺方法.对选用的作为带垂直互联...
[期刊论文] 作者：邓威,蒋庆磊,刘刚,房迅雷,,
来源：电子工艺技术 年份：2015
数字T/R组件具有品种多、数量大和集成度高等特点,如何高效和精准地完成数字T/R组件检测,是批生产过程中必须解决的问题。飞针测试具有测试开发高效、测试精度高和测试成本较...
[会议论文] 作者：孙兆鹏,严伟,房迅雷,王锋,
来源：2006年电子机械和微波结构工艺学术会议 年份：2006
低温共烧陶瓷(LTCC)是实现高密度微波组件的一种较理想的组装技术.本文对多层LTCC微波电路基板中的共面波导(CPW)的特性进行了研究和试验.对共面波导的微波特性以及带接地的...
[期刊论文] 作者：李省,顾叶青,林元载,房迅雷,
来源：电子机械工程 年份：2020
T/R组件是相控阵雷达的核心模块,有众多测试指标,控制信号复杂,为提高生产效率,急需一个全自动测试产线。为了解决上述问题,文中根据T/R组件的冷却形式、所需测试指标、外形...
[会议论文] 作者：蒋庆磊,刘刚,房迅雷,张玮,吴民,
来源：2011中国高端SMT学术会议 年份：2011
随着近年来电子组装无铅化工艺的推进，无铅焊点的可靠性问题日益突出。研究无铅焊点的失效机制、焊点寿命预测模型，探寻焊点显微组织和结构对失效机制的影响成为当前研究的......
[期刊论文] 作者：孙兆鹏,张耀平,郑伟,房迅雷,杜小辉,
来源：2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议 年份：2014
本文基于LTCC技术,采用不对称带状线构成λ/2谐振器的设计思路,并采用在公共地层采用谐振器侧臂全开窗实现强耦合的结构,实现了一款新型的X波段带通滤波器.在实现小型化的同时,也得到了陡峭的边带特性.滤波器设计3dB带宽为9.5GHz～10.5GHz,通带内(9.6GHz～10.4GHz)S......
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