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[学位论文] 作者：文国鹏,
来源：清华大学 年份：1999
基于光纤通信系统的大容量、高速率信息传输系统是现代信息基础设施的重要组成部分,而激光器和调制器的单片集成光源为光纤通信系统提供了低成本、高可靠性的信号源,尤其是分...
[学位论文] 作者：文国鹏,
来源：清华大学 年份：1997
该论文主要对含载流子限制光栅的增益耦合型分布反馈式半导体激光器进行理论分析和实际制作,并研究将这种激光器与调制器集成的有关技术.论文首先对含载流子限制光栅的增益耦...
[期刊论文] 作者：罗毅,文国鹏,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器。我们对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子阻挡光栅的作用，得到了很强的增益耦合。利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生......
[会议论文] 作者：孙长征,文国鹏,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合，并采用倒台形状的...
[会议论文] 作者：文国鹏,孙长征,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文首次报道一种结构简单的1.55um InGaAsP／InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件。该器件采用脊波导结构进行横模限制，阈值电流大约为30～50mA，边模抑制比大于...
[期刊论文] 作者：罗毅,文国鹏,甘雨农,张克潜,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子阻挡光栅的作用，得到了很强的增益耦合．利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生长，在......
[期刊论文] 作者：文国鹏,程强,张维民,涂阿敏,,
来源：节能 年份：2009
介绍智能闭环控制技术在油田采油抽油机上的应用情况，分析了电机启动转矩、功耗、电耗的特征，提出抽油机各组单元功能，并结合现场实例对其系统工作原理的可靠性进行分析监测。......
[期刊论文] 作者：罗毅,文国鹏,孙长征,李同宁,杨新民,王任凡,王彩玲,金锦炎,
来源：半导体学报 年份：1998
本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．This......
[期刊论文] 作者：罗毅,孙长征,文国鹏,李同宁,杨新民,吴又生,王任凡,王彩玲,黄涛,金锦炎,
来源：半导体学报 年份：1999
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上，进一步对器件的性能进行了改进，并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封......
[期刊论文] 作者：李同宁,金锦炎,杨新民,王彩玲,刘涛,黄涛,王任凡,吴又生,罗毅,文国鹏,孙长征,
来源：光通信研究 年份：1999
本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误......
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