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[期刊论文] 作者:华军,,, 来源:中国机械工程 年份:2005
设计并研究了一种硅基PZT压电悬臂梁驱动扫描微镜器件.这种扫描微镜采用单晶硅平面微镜面作为光扫描反射元件,由硅基压电复合弹性悬臂梁作为驱动机构控制水平微镜面偏转实现...
[期刊论文] 作者:华军,建设,,, 来源:微纳电子技术 年份:2003
采用压电多层悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜悬臂梁驱动光开关的机械性能,探讨了结构参数与悬臂梁机械性能的关系及影响光开关机电性能的因素.提出了一...
[期刊论文] 作者:伍晓明,华军,林建辉,,,, 来源:功能材料与器件学报 年份:2008
本文介绍了一种MEMS悬臂梁器件,将环境中的振动机械能转化为电能。该悬臂梁的主体材料为单晶硅,其上覆盖一层用Sol-Gel法制备的PZT压电材料,利用压电材料的正压电效应实现机...
[期刊论文] 作者:于毅,,, 来源:半导体学报 年份:2005
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AIN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜......
[期刊论文] 作者:兴明,华军,,, 来源:微纳电子技术 年份:2007
介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率...
[期刊论文] 作者:杨轶,张宁欣,,, 来源:中国机械工程 年份:2005
采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件...
[期刊论文] 作者:华瑞,,,库万军, 来源:仪器仪表学报 年份:2003
在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法...
[期刊论文] 作者:丛鹏,燕翔,,, 来源:压电与声光 年份:2002
计算并讨论了由电极 -压电薄膜 -电极的三明治结构组成的体声波谐振器在有衬底情况下的阻抗 ,特别说明了厚的支撑膜对滤波器性能的严重影响。同时比较了在制作体声波滤波器时...
[期刊论文] 作者:欧阳可青, 韦丹, , ,, 来源:仪器仪表学报 年份:2003
随着信息技术的迅速发展,对信息存储器提出了以下要求:高密度、高读写速度、低功耗和尽可能长的存储寿命.铁电薄膜材料在存储技术中的应用出现为这一切提供了可能.本文在分析...
[期刊论文] 作者:赵洋,,,李志坚, 来源:电子科技导报 年份:1999
对微麦克风的发展过程及研究现状进行了评述,重点介绍了电容式、电压式、铁电式三种微麦克风的研究现状及发展前景。The development and research status of microphones a...
[期刊论文] 作者:富迪,陈豪,杨轶,,,, 来源:微纳电子技术 年份:2011
针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm...
[期刊论文] 作者:锋, 杨晨, , , 于军, 白洋, 来源:功能材料 年份:2005
采用溶胶-凝胶自燃法制备了Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4铁氧体,使用HP4191A阻抗分析仪测试了材料高频磁谱;结合快速热处理(RTP)工艺制备了Ni0.4Zn0.4 Cu0.2 Fe2O4磁性薄膜,使用AFM...
[期刊论文] 作者:杨轶,,蔡坚,王水第,,, 来源:微纳电子技术 年份:2007
分别采用TO-CAN和SMT形式对微声学器件进行了封装,并对封装后的器件进行了耦合腔测试和指向性测试。测试结果表明,通过减小前入声孔直径大小,能够抑制微音频器件的高频响应;...
[期刊论文] 作者:,曲炳郡,,李志坚, 来源:中国机械工程 年份:2005
巨磁电阻(GMR)生物传感器以其IC兼容性、高灵敏度、标记稳定、价格低廉等优点,获得广泛关注.在GMR生物传感器研究领域,美国处于领先地位.对该领域的研究现状进行综述,并对该...
[期刊论文] 作者:鹏, 李伟, 华瑞, 叶双莉, , ,, 来源:传感技术学报 年份:2006
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/freelayer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫...
[期刊论文] 作者:阮勇,叶双莉,张大成,,, 来源:第十届全国敏感元件与传感器学术会议 年份:2007
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120:1~125:1,因此SiO2层可以抑...
[期刊论文] 作者:阮勇,谢丹,,林惠旺,,, 来源:纳米技术与精密工程 年份:2008
采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术(DLI-MOCVD)制备Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜(PZT薄膜),并进行了相关研究,通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数(温度、压力、系统的气......
[期刊论文] 作者:谢丹,武潇,,,党智敏, 来源:纳米技术与精密工程 年份:2010
嵌入式微电容技术是一种能够使电子器件微型化,并提高其性能及可靠性的方法.研究适用于嵌入式环境的高介电材料,有着重要的意义.采用粒径为92 nm的钛酸钡(BaTiO3)颗粒作为纳米...
[期刊论文] 作者:黄朋生,,楼其伟,建设,, 来源:压电与声光 年份:2003
设计了一种基于MEMS的单片三维压电薄膜加速度传感器,传感器采用单一质量块和四方梁的高度对称结构。对传感器结构进行理论分析和计算,研究了传感器设计中几个因素间的相互制...
[期刊论文] 作者:贾泽, 杨轶, 陈兢, 建设, , ,, 来源:压电与声光 年份:2006
用溶胶-凝胶法制备的锆钛酸铅压电薄膜的微麦克风和纹膜电容式微麦克风都是基于微电子机械系统技术的硅基单片微麦克风。在其工艺制作过程中,在表面硅微加工之后进行体硅的湿......
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